SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: TSUKAHARA Ryuta, ZHANG Song, YASUDA Shuichi, TANAKA Tomoya, IWASAKI Akihisa
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This substrate processing apparatus comprises a first substrate holding unit (2), at least one nozzle (3), a mixing unit (30), a liquid feeding pipe (42), and a control unit (90). The nozzle (3) is for discharging therethrough a processing liquid to a main surface of a substrate (W) held by the first substrate holding unit (2). The mixing unit (30) supplies a holding liquid obtained by mixing a polymer and an organic solvent to the at least one nozzle (3) and causes the holding liquid to be discharged through the at least one nozzle (3) toward the main surface of the substrate (W), to thereby form a liquid film of the holding liquid on the main surface of the substrate (W). The control unit (90) determines a first target mixing ratio of the polymer to the organic solvent in the holding liquid on the basis of a parameter which is the size or the number of particles on the main surface of the substrate (W), and controls the mixing unit (30) on the basis of the first target mixing ratio. Cet appareil de traitement de substrats comprend une première unité de maintien de substrat (2), au moins une buse (3), une unité de mélange (30), un tuyau d'alimentation en liquide (42) et une unité de commande (90). La buse (3) est destinée à évacuer à travers celle-ci un liquide de traitement vers une surface principale d'un substrat (W) maintenu par la première unité de maintien de substrat (2). L'unité de mélange (30) fournit un liquide de maintien obtenu par mélange d'un polymère et d'un solvant organique à ladite au moins une buse (3) et entraîne l'évacuation du liquide de maintien à travers ladite au moins une buse (3) vers la surface principale du substrat (W), pour ainsi former un film liquide du liquide de maintien sur la surface principale du substrat (W). L'unité de commande (90) détermine un premier rapport de mélange cible du polymère au solvant organique dans le liquide de maintien sur la base d'un paramètre qui est la taille ou le nombre de particules sur la surface principale du substrat (W), et commande l'unité de mélange (30) sur la base du premier rapport de mélange cible. 基板処理装置は、第１基板保持部（２）と、少なくとも一つのノズル（３）と、混合部（３０）と、給液管（４２）と、制御部（９０）とを備える。ノズル（３）は、第１基板保持部（２）によって保持された基板（Ｗ）の主面に処理液を吐出する。混合部（３０）は、ポリマーおよび有機溶剤を混合して得られた保持液を少なくとも一つのノズル（３）に供給して、少なくとも一つのノズル（３）から保持液を基板（Ｗ）の主面に向かって吐出させ、基板（Ｗ）の主面上に保持液の液膜を形成する。制御部（９０）は、基板（Ｗ）の主面上のパーティクルのサイズまたは数であるパラメータに基づいて、保持液における有機溶剤に対するポリマーの第１目標混合比を決定し、第１目標混合比に基づいて混合部（３０）を制御する。