SOLID-STATE IMAGING DEVICE

• Main Author: HANEDA, Masaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

This solid-state imaging device comprises: a first substrate that has a photoelectric conversion element for converting light into electrical charge; a second substrate that has a first signal processing circuit for performing signal processing based on the electrical charge obtained by the conversion in the photoelectric conversion element, and is different from the first substrate; and a third substrate that is electrically connected to the first signal processing circuit, has a protection element that absorbs overcurrent, and is different from the first substrate and the second substrate. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend : un premier substrat qui a un élément de conversion photoélectrique pour convertir la lumière en charge électrique; un deuxième substrat qui a un premier circuit de traitement de signal pour effectuer un traitement de signal sur la base de la charge électrique obtenue par la conversion dans l'élément de conversion photoélectrique, et est différent du premier substrat; et un troisième substrat qui est électriquement connecté au premier circuit de traitement de signal, a un élément de protection qui absorbe une surintensité, et est différent du premier substrat et du deuxième substrat. 固体撮像装置は、光を電荷に変換する光電変換素子を有する第１基体と、光電変換素子において変換された電荷に基づき信号処理を行う第１信号処理回路を有し、第１基体とは異なる第２基体と、第１信号処理回路に電気的に接続され、過電流を吸収する保護素子を有し、第１基体及び第２基体とは異なる第３基体とを備えている。