SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SUTO, Minami, KANDA, Masao, NISHIDA, Yoshiki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention addresses the problem of preventing a decrease in efficiency of transfer of a charge in a semiconductor device. A semiconductor device according to the present invention comprises a charge transfer unit and a transfer route adjustment unit. The charge transfer unit is constituted by a MOS transistor including a first semiconductor region that is disposed inside a semiconductor substrate, a second semiconductor region that is disposed in the vicinity of a surface of the semiconductor substrate, and a transfer gate that is a gate electrode and that is disposed so as to be embedded in the vicinity of the surface of the semiconductor substrate such that a bottom part thereof is formed in the vicinity of the first semiconductor region. The charge transfer unit transfers a charge from one of the first semiconductor region and the second semiconductor region to the other. The transfer route adjustment unit is disposed adjacently to the transfer gate, and a bottom part thereof is constituted by an insulator formed in the vicinity of a bottom part of the transfer gate. The transfer route adjustment unit adjusts a transfer route of the charge in the charge transfer unit. La présente invention aborde le problème de prévention d'une diminution d'efficacité de transfert d'une charge dans un dispositif à semi-conducteur. Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend une unité de transfert de charge et une unité de réglage d'itinéraire de transfert. L'unité de transfert de charge est constituée d'un transistor MOS comprenant une première région semi-conductrice qui est disposée à l'intérieur d'un substrat semi-conducteur, une seconde région semi-conductrice qui est disposée à proximité d'une surface du substrat semi-conducteur, et une grille de transfert qui est une électrode de grille et qui est disposée de façon à être incorporée au voisinage de la surface du substrat semi-conducteur de telle sorte qu'une partie inférieure de celle-ci est formée au voisinage de la première région semi-conductrice. L'unité de transfert de charge transfère une charge de l'une de la première région semi-conductrice et de la seconde région semi-conductrice à l'autre. L'unité de réglage d'itinéraire de transfert est disposée de manière adjacente à la grille de transfert, et une partie inférieure de celle-ci est constituée par un isolant formé au voisinage d'une partie inférieure de la grille de transfert. L'unité de réglage d'itinéraire de transfert règle un itinéraire de transfert de la charge dans l'unité de transfert de charge. 半導体装置における電荷の転送効率の低下を防ぐ。半導体装置は、電荷転送部と、転送経路調整部とを有する。電荷転送部は、半導体基板内に配置される第１の半導体領域、半導体基板の表面近傍に配置される第２の半導体領域及び半導体基板の表面近傍に埋め込まれて配置されて底部が第１の半導体領域の近傍に形成されるゲート電極である転送ゲートを備えるＭＯＳトランジスタにより構成されて電荷を第１の半導体領域及び第２の半導体領域の一方から他方に転送する。転送経路調整部は、転送ゲートに隣接して配置されるとともに底部が転送ゲートの底部の近傍に形成される絶縁物により構成されて電荷転送部における電荷の転送経路を調整する。