SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: SAKANE Hiroki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention inhibits leakage current when raising a gate potential in a switching element having a barrier region and a connection portion. This semiconductor device has a gate electrode in a trench. A semiconductor substrate includes: a first n-type region contacting a gate insulating film; a p-type upper body region contacting the gate insulating film at the side surface below the first n-type region; an n-type barrier region contacting the gate insulating film at the side surface below the upper body region; a p-type lower body region contacting the gate insulating film at the side surface below the barrier region; a connection portion electrically connecting the barrier region and the upper electrode; an n-type drift region contacting the gate insulating film at the side surface below the lower body region; and a second n-type region contacting the lower electrode. A lower portion of the gate insulating film is thicker than an upper portion of the gate insulating film. La présente invention inhibe un courant de fuite lors de l'augmentation d'un potentiel de grille dans un élément de commutation comprenant une région barrière et une partie de connexion. Ce dispositif à semi-conducteur comprend une électrode de grille dans une tranchée. Un substrat semi-conducteur comprend : une première région de type n en contact avec un film isolant de grille ; une région de corps supérieure de type p en contact avec le film isolant de grille au niveau de la surface latérale au-dessous de la première région de type n ; une région de barrière de type n en contact avec le film isolant de grille au niveau de la surface latérale au-dessous de la région de corps supérieure ; une région de corps inférieure de type p en contact avec le film isolant de grille au niveau de la surface latérale au-dessous de la région de barrière ; une partie de connexion connectant électriquement la région de barrière et l'électrode supérieure ; une région de dérive de type n en contact avec le film isolant de grille au niveau de la surface latérale au-dessous de la région de corps inférieure ; et une seconde région de type n en contact avec l'électrode inférieure. Une partie inférieure du film isolant de grille est plus épaisse qu'une partie supérieure du film isolant de grille. バリア領域と接続部を有するスイッチング素子において、ゲート電位を上昇させるときの漏れ電流を抑制する。半導体装置であって、トレンチ内にゲート電極を有する。半導体基板が、前記ゲート絶縁膜に接する第１ｎ型領域と、前記第１ｎ型領域の下側の前記側面で前記ゲート絶縁膜に接するｐ型の上部ボディ領域と、前記上部ボディ領域の下側の前記側面で前記ゲート絶縁膜に接するｎ型のバリア領域と、前記バリア領域の下側の前記側面で前記ゲート絶縁膜に接するｐ型の下部ボディ領域と、前記バリア領域と前記上部電極とを電気的に接続する接続部と、前記下部ボディ領域の下側の前記側面で前記ゲート絶縁膜に接するｎ型のドリフト領域と、前記下部電極に接する第２ｎ型領域を有する。前記ゲート絶縁膜の下側部分が、前記ゲート絶縁膜の上側部分よりも厚い。