POWER MODULE

• Main Authors: ROKUBUICHI, Hodaka, HARADA, Kozo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A power module (101) comprises: a first substrate (1A) that has a first surface (1A1); a first power semiconductor element (2A) that is mounted on the first surface; a printed circuit board (4) that has a first facing section (4A) disposed so as to overlap with the first surface of the first substrate in a first direction (Z) perpendicular to the first surface; and a first conductor post (3A) that electrically connects the first power semiconductor element and the first facing section. A first recessed portion (4C) is formed in the first facing section and accommodates the first power semiconductor element and the first conductor post therein. La présente invention concerne un module de puissance (101) comprenant : un premier substrat (1A) ayant une première surface (1A1) ; un premier élément semi-conducteur de puissance (2A) monté sur la première surface ; une carte de circuit imprimé (4) ayant une première section en regard (4A) disposée de manière à chevaucher la première surface du premier substrat dans une première direction (Z) perpendiculaire à la première surface ; et une première borne conductrice (3A) qui connecte électriquement le premier élément semi-conducteur de puissance et la première section en regard. Une première partie en retrait (4C) est formée dans la première section en regard et reçoit le premier élément semi-conducteur de puissance et la première borne conductrice. パワーモジュール（１０１）は、第１面（１Ａ１）を有する第１基板（１Ａ）と、第１面に実装されている第１パワー半導体素子（２Ａ）と、第１面と直交する第１方向（Ｚ）において第１基板の第１面と重なるように配置されている第１対向部分（４Ａ）を有するプリント基板（４）と、第１パワー半導体素子と第１対向部分との間を電気的に接続する第１導体ポスト（３Ａ）とを備える。第１対向部分には、第１パワー半導体素子及び第１導体ポストを内部に収容する第１凹部（４Ｃ）が形成されている。