SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: WAKUDA, Masahiro, KIMURA, Hajime, MIYATA, Shoki, YAMAZAKI, Shunpei, SAWAI, Hiromi, KURATA, Motomu, MURAKAWA, Tsutomu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.07.2024
• Subjects: ADVERTISING; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; DISPLAY; DISPLAYING; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; LABELS OR NAME-PLATES; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIGNS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

Provided is a semiconductor device having a small footprint. The semiconductor device is provided with a first transistor so as to have a region located inside a first opening of a spacer. A source electrode and a drain electrode are provided so as to face each other across the first opening in a plan view. A semiconductor layer is provided along the lateral surface and the bottom surface of the first opening. A gate insulation layer and a gate electrode are provided in this order on the semiconductor layer so that each has a region located inside the first opening. In addition, it is possible to provide a second transistor that shares a portion of steps with the first transistor. The second transistor is provided so as to have a region located inside a second opening of the spacer. One of a source electrode and a drain electrode of the second transistor is provided below the second opening, and the other of the source electrode and the drain electrode of the second transistor is provided above the spacer. Est proposé un dispositif à semi-conducteur présentant une petite empreinte. Le dispositif à semi-conducteur est pourvu d'un premier transistor de façon à présenter une région située à l'intérieur d'une première ouverture d'un espaceur. Une électrode de source et une électrode de drain sont disposées de façon à se faire face à travers la première ouverture dans une vue en plan. Une couche semi-conductrice est disposée le long de la surface latérale et de la surface inférieure de la première ouverture. Une couche d'isolation de grille et une électrode de grille sont disposées dans cet ordre sur la couche semi-conductrice de sorte que chacune présente une région située à l'intérieur de la première ouverture. De plus, il est possible de fournir un second transistor qui partage une partie des étapes avec le premier transistor. Le second transistor est disposé de façon à présenter une région située à l'intérieur d'une seconde ouverture de l'espaceur. Un élément parmi une électrode de source et une électrode de drain du second transistor est disposé au-dessous de la seconde ouverture, et l'autre élément parmi l'électrode de source et l'électrode de drain du second transistor est disposé au-dessus de l'espaceur. 占有面積の小さい半導体装置を提供する。 スペーサの第１の開口部の内部に位置する領域を有するように第１のトランジスタが設けられる半導体装置。平面視において第１の開口部を挟んで対向するように、ソース電極及びドレイン電極が設けられる。第１の開口部の側面及び底面に沿って、半導体層が設けられる。半導体層上には、第１の開口部の内部に位置する領域を有するように、ゲート絶縁層、及びゲート電極がこの順で設けられる。また、第１のトランジスタと一部の工程を共通にした、第２のトランジスタを設けることができる。第２のトランジスタは、スペーサの第２の開口部の内部に位置する領域を有するように設けられる。第２の開口部の下に、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方が設けられ、スペーサ上に、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方が設けられる。