SEMICONDUCTOR DEVICE
This semiconductor device comprises: a semiconductor chip having a main surface facing one side in a thickness direction, and a main surface electrode disposed on the main surface; a lead (conducting object) that is separated from the semiconductor chip and conductive with the main surface electrode...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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11.07.2024
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Summary: | This semiconductor device comprises: a semiconductor chip having a main surface facing one side in a thickness direction, and a main surface electrode disposed on the main surface; a lead (conducting object) that is separated from the semiconductor chip and conductive with the main surface electrode; a plate-shaped conduction member including a joined part joined to the main surface electrode, a joined part joined to the lead (conducting object), and a suspension part connecting the joined part and the other joined part; a conductive joining layer joining the joined part and the main surface electrode; and a sealing resin covering the semiconductor chip, a portion of the lead (conducting object), the plate-shaped conduction member, and the joining layer. The plate-shaped conduction member includes an eaves part different from the suspension part. The eaves part does not contact the joining layer, and overlaps the outer periphery of the semiconductor chip as viewed in the thickness direction.
Le dispositif à semi-conducteur de l'invention comprend : une puce semi-conductrice ayant une surface principale faisant face à un côté dans une direction d'épaisseur, et une électrode de surface principale disposée sur la surface principale ; un fil (objet conducteur) qui est séparé de la puce semi-conductrice et conducteur avec l'électrode de surface principale ; un élément de conduction en forme de plaque comprenant une partie jointe qui est jointe à l'électrode de surface principale, une partie jointe qui est jointe au fil (objet conducteur), et une partie de suspension connectant la partie jointe et l'autre partie jointe ; une couche de jonction conductrice joignant la partie jointe et l'électrode de surface principale ; et une résine d'étanchéité recouvrant la puce semi-conductrice, une partie du fil (objet conducteur), l'élément de conduction en forme de plaque et la couche de jonction. L'élément de conduction en forme de plaque comprend une partie d'avant-toit différente de la partie de suspension. La partie d'avant-toit n'entre pas en contact avec la couche de jonction, et chevauche la périphérie externe de la puce semi-conductrice telle qu'observée dans la direction d'épaisseur.
半導体装置は、厚さ方向の一方を向く主面および主面に配置された主面電極を有する半導体チップと、前記半導体チップから離間し、前記主面電極に導通するリード(導通対象体)と、前記主面電極に接合された接合部、前記リード(導通対象体)に接合された接合部、および前記接合部と前記接合部とを繋ぐ懸架部を含む板状導通部材と、前記接合部と前記主面電極とを接合する導電性の接合層と、前記半導体チップ、前記リード(導通対象体)の一部、板状導通部材、および前記接合層を覆う封止樹脂と、を備える。前記板状導通部材は、前記懸架部と異なる庇部を含み、前記庇部は、前記接合層に非接触であり、前記厚さ方向に見て前記半導体チップの外周に重なる。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2023JP44791 |