SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Provided is a new semiconductor device. The present invention is configured such that: a transmission unit has a first transistor; the transmission unit has a source follower function for outputting a first potential to a source or a drain of the first transistor in accordance with a potential input...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors KAWASHIMA, Susumu, SHISHIDO, Hideaki, KUSUNOKI, Koji
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 04.07.2024
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:Provided is a new semiconductor device. The present invention is configured such that: a transmission unit has a first transistor; the transmission unit has a source follower function for outputting a first potential to a source or a drain of the first transistor in accordance with a potential inputted to a gate of the first transistor; a generation unit has a function for generating a second potential according to a potential of a first wiring; an input unit has a function for holding a voltage corresponding to a threshold voltage of the first transistor and a function for transmitting, to the gate of the first transistor, a potential according to the potential of the first wiring; and an output unit has a function for transmitting the first potential to a second wiring and a function for transmitting the second potential to the second wiring. L'invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteur. La présente invention est configurée de telle sorte que : une unité de transmission a un premier transistor ; l'unité de transmission a une fonction de suiveur de source pour délivrer un premier potentiel à une source ou à un drain du premier transistor en fonction d'un potentiel entré dans une grille du premier transistor ; une unité de génération a une fonction pour générer un deuxième potentiel en fonction d'un potentiel d'un premier câblage ; une unité d'entrée a une fonction pour maintenir une tension correspondant à une tension de seuil du premier transistor et une fonction pour transmettre, à la grille du premier transistor, un potentiel en fonction du potentiel du premier câblage ; et une unité de sortie a une fonction pour transmettre le premier potentiel à un deuxième câblage et une fonction pour transmettre le deuxième potentiel au deuxième câblage. 新規な半導体装置を提供する。 伝達部は、第1トランジスタを有し、伝達部は、第1トランジスタのゲートに入力される電位に応じて、第1トランジスタのソースまたはドレインの一方に第1電位を出力する、ソースフォロワの機能を有し、生成部は、第1配線の電位に応じた第2電位を生成する機能を有し、入力部は、第1トランジスタのしきい値電圧に相当する電圧を保持する機能と、第1配線の電位に応じた電位を第1トランジスタのゲートに伝える機能と、を有し、出力部は、第1電位を第2配線に伝える機能と、第2電位を第2配線に伝える機能と、を有する。
Bibliography:Application Number: WO2023IB63067