JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

• Main Author: TAKATSUKA, Akio
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a junction barrier Schottky diode 1 equipped with an n-type semiconductor layer 11 having a plurality of trenches 111, a plurality of p-type semiconductor parts 12 disposed so as to be in contact with the inner surfaces of the trenches 111, and an anode electrode 13 disposed so as to be in contact with mesa-shaped portions 112 of the n-type semiconductor layer 11, wherein the p-type semiconductor parts 12 each comprise a first portion 121, which covers the inner surface of the trench 111, and a second portion 122, which covers the brims of the trench 111 in the first surface 113 of the n-type semiconductor layer 11. L'invention concerne une diode Schottky à barrière de jonction 1 équipée d'une couche semi-conductrice de type n 11 ayant une pluralité de tranchées 111, une pluralité de parties semi-conductrices de type p 12 disposées de façon à être en contact avec les surfaces internes des tranchées 111, et une électrode d'anode 13 disposée de façon à être en contact avec des parties en forme de mesa 112 de la couche semi-conductrice de type n 11, les parties semi-conductrices de type p 12 comprenant chacune une première partie 121, qui recouvre la surface interne de la tranchée 111, et une seconde partie 122, qui recouvre les bords de la tranchée 111 dans la première surface 113 de la couche semi-conductrice de type n 11. 複数のトレンチ１１１を有するｎ型半導体層１１と、複数のトレンチ１１１のそれぞれの内面に接して設けられた複数のｐ型半導体部１２と、ｎ型半導体層１１のメサ形状部１１２と接触して設けられたアノード電極１３とを備え、複数のｐ型半導体部１２の各々が、トレンチ１１１の内面を覆う第１の部分１２１と、ｎ型半導体層１１の第１の面１１３におけるトレンチ１１１の開口部の縁を覆う第２の部分１２２とを有する、ジャンクションバリアショットキーダイオード１を提供する。