SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIMA, Yukinori, DOBASHI, Masayoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device having both high performance and high productivity. The semiconductor device comprises a first transistor and a second first transistor on a substrate. The first transistor has a first conductive layer, a first insulating layer, and a second conductive layer in this order, and has, in an opening provided in the first insulating layer and second conductive layer, a first semiconductor layer, a second insulating layer, and a third conductive layer in this order on the first conductive layer. The second transistor has a first insulating layer, a fourth conductive layer and a fifth conductive layer, a second semiconductor layer, a second insulating layer, and a sixth conductive layer in this order, and the second semiconductor layer has an area contacting the second insulating layer, and an area overlapping the second insulating layer with the fourth conductive layer or the fifth conductive layer interposed therebetween. The second conductive layer, the fourth conductive layer, and the fifth conductive layer can be formed from the same film. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant à la fois une performance élevée et une productivité élevée. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier transistor et un second transistor sur un substrat. Le premier transistor comprend une première couche conductrice, une première couche isolante et une deuxième couche conductrice dans cet ordre, et présente, dans une ouverture ménagée dans la première couche isolante et la deuxième couche conductrice, une première couche semi-conductrice, une seconde couche isolante et une troisième couche conductrice dans cet ordre sur la première couche conductrice. Le second transistor comprend une première couche isolante, une quatrième couche conductrice et une cinquième couche conductrice, une seconde couche semi-conductrice, une seconde couche isolante et une sixième couche conductrice dans cet ordre, et la seconde couche semi-conductrice présente une zone en contact avec la seconde couche isolante et une zone chevauchant la seconde couche isolante avec la quatrième couche conductrice ou la cinquième couche conductrice interposée entre elles. La deuxième couche conductrice, la quatrième couche conductrice et la cinquième couche conductrice peuvent être constituées du même film. 高い性能と高い生産性が両立した半導体装置を提供する。 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を基板上に有する半導体装置。第１のトランジスタは、第１の導電層と、第１の絶縁層と、第２の導電層と、を順に有し、第１の絶縁層及び第２の導電層に設けられた開口において、第１の導電層上に第１の半導体層と、第２の絶縁層と、第３の導電層と、を順に有する。第２のトランジスタは、第１の絶縁層と、第４の導電層及び第５の導電層と、第２の半導体層と、第２の絶縁層と、第６の導電層と、を順に有し、第２の半導体層は、第２の絶縁層と接する領域と、第４の導電層又は第５の導電層を介して第２の絶縁層と重なる領域と、を有する。第２の導電層、第４の導電層及び第５の導電層は、同じ膜から形成することが可能である。