SEMICONDUCTOR LASER
Provided in the present disclosure is a semiconductor laser. The semiconductor laser comprises an active region, a gain regulation and control region, a phase region, a grating region and an isolation region which are arranged side by side on the same substrate, wherein the gain regulation and contr...
Saved in:
Main Authors | , , , , , , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | Chinese English French |
Published |
13.06.2024
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | Provided in the present disclosure is a semiconductor laser. The semiconductor laser comprises an active region, a gain regulation and control region, a phase region, a grating region and an isolation region which are arranged side by side on the same substrate, wherein the gain regulation and control region uses the same structure and material as the active region, and is used for generating mutual photoelectric coupling effects with the active region so as to change a gain of the semiconductor laser.
La présente invention concerne un laser à semi-conducteur. Le laser à semi-conducteur comprend une région active, une région de régulation et de commande de gain, une région de phase, une région de réseau et une région d'isolation qui sont disposées côte à côte sur le même substrat, la région de régulation et de commande de gain utilisant la même structure et le même matériau que la région active, et étant utilisée pour générer des effets de couplage photoélectrique mutuels avec la région active de façon à modi |
---|---|
Bibliography: | Application Number: WO2022CN136808 |