RECTIFYING ELEMENT

• Main Authors: ONODERA Ryo, NISHIMURA Masumi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A rectifying element according to the present invention includes an amorphous substrate, an alignment control layer that is on the amorphous substrate, a first gallium nitride semiconductor layer and a second gallium nitride semiconductor layer that are on the alignment control layer, a first electrode that forms a Schottky junction with the first gallium nitride semiconductor layer, and a second electrode that forms an Ohmic junction with the second gallium nitride semiconductor layer. The first gallium nitride semiconductor layer and the second gallium nitride semiconductor layer are arranged side by side and are provided so as to contact the alignment control layer. Un élément redresseur selon la présente invention comprend un substrat amorphe, une couche de commande d'alignement qui est sur le substrat amorphe, une première couche semi-conductrice au nitrure de gallium et une seconde couche semi-conductrice au nitrure de gallium qui sont sur la couche de commande d'alignement, une première électrode qui forme une jonction Schottky avec la première couche semi-conductrice au nitrure de gallium, et une seconde électrode qui forme une jonction ohmique avec la seconde couche semi-conductrice au nitrure de gallium. La première couche semi-conductrice de nitrure de gallium et la seconde couche semi-conductrice de nitrure de gallium sont disposées côte à côte et sont disposées de façon à entrer en contact avec la couche de commande d'alignement. 整流素子は、アモルファス基板と、アモルファス基板上の配向制御層と、配向制御層上の第１窒化ガリウム系半導体層及び第２窒化ガリウム系半導体層と、第１窒化ガリウム系半導体層とショットキー接合を形成する第１電極と、第２窒化ガリウム系半導体層とオーミック接合を形成する第２電極と、を含む。第１窒化ガリウム系半導体層と第２窒化ガリウム系半導体層とは、横並びに配置され、配向制御層と接するように設けられる。