SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAKAHARA Takuro, SHIRAISHI Shougo, ISE Kota, KONO Hiromasa, KASHIWAGI Kengo, TAKATA Yasuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In the present invention, a semiconductor device comprises: a first lead that includes a die pad part having a first main surface facing one thickness-direction side and a first back surface facing the other thickness-direction side; a semiconductor element supported on the first main surface; a conductive part that is disposed on the one thickness-direction side of the semiconductor element and conductively joined to the semiconductor element; a sealing resin that covers the semiconductor element and at least a portion of the die pad part; and a first heat dissipation body that is secured to the one thickness-direction side of the conductive part, and that has higher thermal conductivity than the sealing resin. The first heat dissipation body includes a first insulation layer that overlaps the conductive part as viewed in the thickness direction, and also has a first heat dissipation surface facing the one thickness-direction side. The sealing resin has a resin main surface facing the one thickness-direction side, and the first heat dissipation surface is exposed from the resin main surface. Dans la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend : un premier fil qui comprend une partie pastille de puce présentant une première surface principale faisant face à un côté dans le sens de l'épaisseur et une première surface arrière faisant face à l'autre côté dans la direction de l'épaisseur ; un élément semi-conducteur supporté sur la première surface principale ; une partie conductrice qui est disposée côté sens de l'épaisseur de l'élément semi-conducteur et reliée de manière conductrice à l'élément semi-conducteur ; une résine d'étanchéité qui recouvre l'élément semi-conducteur et au moins une partie de la partie pastille de puce ; et un premier corps de dissipation de chaleur qui est fixé au côté sens de l'épaisseur de la partie conductrice, et qui présente une conductivité thermique supérieure à celle de la résine d'étanchéité. Le premier corps de dissipation de chaleur comprend une première couche d'isolation qui chevauche la partie conductrice telle qu'observée dans le sens de l'épaisseur, et présente également une première surface de dissipation de chaleur faisant face au côté sens de l'épaisseur. La résine d'étanchéité présente une surface principale de résine faisant face au côté sens de l'épaisseur, et la première surface de dissipation de chaleur est exposée à partir de la surface principale de résine. 半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有するダイパッド部を含む第１リードと、前記第１主面に支持された半導体素子と、前記半導体素子の前記厚さ方向の前記一方側に配置され、且つ前記半導体素子に導通接合された導電部と、前記ダイパッド部の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記導電部の前記厚さ方向の前記一方側に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第１放熱体を備え、前記第１放熱体は、前記厚さ方向に見て前記導電部と重なる第１絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の前記一方側を向く第１放熱面を有し、前記封止樹脂は、前記厚さ方向の前記一方側を向く樹脂主面を有し、前記第１放熱面は、前記樹脂主面から露出している。