EVAPORATION SOURCE UNIT, FILM FORMING DEVICE, AND FILM FORMING METHOD

• Main Authors: ICHIHARA, Masahiro, SUGAWARA, Yuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided is an evaporation source unit that performs film forming on a substrate moving relatively in a movement direction, said unit being characterized by including: a plurality of evaporation sources that each independently include a container that accommodates a vapor deposition substance to be deposited on the substrate and a heating means that heats the vapor deposition substance accommodated in the container; and a control means that controls each of the plurality of evaporation sources. The unit is also characterized in that: the plurality of evaporation sources include a first evaporation source, a second evaporation source, and a third evaporation source arranged in order from the center of a layout region of the plurality of evaporation sources, along a crossing direction that crosses the movement direction; and the control means controls each of the first evaporation source, the second evaporation source, and the third evaporation source so that a film forming rate of the second evaporation source is smaller than that of the first evaporation source and that of the third evaporation source. L'invention concerne une unité de sources d'évaporation qui effectue une formation de film sur un substrat se déplaçant relativement à celle-ci dans une direction de déplacement, ladite unité étant caractérisée en ce qu'elle comprend : une pluralité de sources d'évaporation qui comprennent chacune indépendamment un récipient qui reçoit une substance de dépôt en phase vapeur à déposer sur le substrat et un moyen de chauffage qui chauffe la substance de dépôt en phase vapeur reçue dans le récipient ; et un moyen de commande qui commande chacune de la pluralité de sources d'évaporation. L'unité est également caractérisée en ce que : la pluralité de sources d'évaporation comprend une première source d'évaporation, une deuxième source d'évaporation et une troisième source d'évaporation agencées dans cet ordre à partir du centre d'une région de disposition de la pluralité de sources d'évaporation, le long d'une direction de croisement qui croise la direction de déplacement ; et le moyen de commande commande chacune de la première source d'évaporation, de la deuxième source d'évaporation et de la troisième source d'évaporation de telle sorte qu'un taux de formation de film de la deuxième source d'évaporation est inférieur à celui de la première source d'évaporation et à celui de la troisième source d'évaporation. 移動方向に相対的に移動する基板に対して成膜を行う蒸発源ユニットであって、前記基板に付着させる蒸着物質を収容する容器と、前記容器に収容された前記蒸着物質を加熱する加熱手段とを、それぞれが独立して含む複数の蒸発源と、前記複数の蒸発源のそれぞれを制御する制御手段と、を有し、前記複数の蒸発源は、前記移動方向に交差する交差方向に沿って、前記複数の蒸発源のレイアウト領域の中心から順に並んで配置された第１蒸発源、第２蒸発源及び第３蒸発源を含み、前記制御手段は、前記第２蒸発源の成膜レートが前記第１蒸発源の成膜レート及び前記第３蒸発源の成膜レートよりも小さくなるように、前記第１蒸発源、前記第２蒸発源及び前記第３蒸発源のそれぞれを制御する、ことを特徴とする蒸発源ユニットを提供する。