NONCONFORMAL FILMS DEPOSITED WITHIN A RECESS USING ATOMIC LAYER DEPOSITION

• Main Authors: KIM, Wanki, CURTIN, Ian John, AGARWAL, Pulkit, PETRAGLIA, Jennifer Leigh
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.05.2024
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Examples are disclosed that relate to a method of depositing a film on a lower portion of a recessed feature on a substrate support using atomic layer deposition (ALD). One example provides a method comprising arranging a substrate comprising a recessed feature on a substrate support in an ALD processing chamber, the recessed feature comprising a recess wall extending into the substrate from an opening of the recessed feature in the substrate surface. The method further comprises supplying an inhibitor to the ALD processing chamber and forming a plasma comprising the inhibitor in the ALD processing chamber. This creates an inhibited recess wall surface adjacent the opening of the recessed feature. The method further comprises performing ALD to deposit a film on the recess wall that is thicker at a greater depth in the recessed feature than on the inhibited recess wall surface. La divulgation concerne des exemples relatifs à un procédé de dépôt d'un film sur une partie inférieure d'un élément évidé sur un support de substrat à l'aide d'un dépôt de couche atomique (ALD). Un exemple concerne un procédé comprenant l'agencement d'un substrat comprenant un élément évidé sur un support de substrat dans une chambre de traitement ALD, l'élément évidé comprenant une paroi d'évidement s'étendant dans le substrat à partir d'une ouverture de l'élément évidé dans la surface de substrat. Le procédé comprend en outre la fourniture d'un inhibiteur à la chambre de traitement ALD et la formation d'un plasma comprenant l'inhibiteur dans la chambre de traitement ALD. Ceci crée une surface de paroi d'évidement inhibée adjacente à l'ouverture de l'élément évidé. Le procédé comprend en outre la réalisation d'un ALD pour déposer un film sur la paroi d'évidement qui est plus épais à une profondeur plus grande dans l'élément évidé que sur la surface de paroi d'évidement inhibée.