THERMOELECTRIC MODULE

• Main Authors: YOO, Young Sam, KIM, Jong Hyun
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 10.05.2024
• Subjects: ELECTRICITY

A thermoelectric module according to an embodiment of the present invention comprises: a first substrate; a first electrode disposed on the first substrate; a semiconductor structure disposed on the first electrode; a second electrode disposed on the semiconductor structure; a second substrate disposed on the second electrode; and a heat sink disposed on the second substrate, wherein: the heat sink comprises a first layer comprising a first metal, a second layer disposed on one surface of the first layer and comprising a second metal, and a third layer disposed on the other surface of the first layer and comprising a third metal; the ionization tendencies of the second metal and the third metal are greater than the ionization tendency of the first metal; and the thickness of each of the second layer and the third layer is smaller than the thickness of the first layer. Un module thermoélectrique selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un premier substrat ; une première électrode disposée sur le premier substrat ; une structure semi-conductrice disposée sur la première électrode ; une seconde électrode disposée sur la structure semi-conductrice ; un second substrat disposé sur la seconde électrode ; et un dissipateur thermique disposé sur le second substrat, le dissipateur thermique comprenant une première couche comprenant un premier métal, une deuxième couche disposée sur une surface de la première couche et comprenant un deuxième métal, et une troisième couche disposée sur l'autre surface de la première couche et comprenant un troisième métal ; les tendances à l'ionisation du deuxième métal et du troisième métal sont supérieures à la tendance à l'ionisation du premier métal ; et les épaisseurs de la deuxième couche et de la troisième couche sont chacune inférieure à l'épaisseur de la première couche. 본 발명의 한 실시예에 따른 열전모듈은 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 반도체 구조물, 상기 반도체 구조물 상에 배치된 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 기판, 그리고 상기 제2 기판 상에 배치된 히트싱크를 포함하고, 상기 히트싱크는 제1 금속을 포함하는 제1층, 상기 제1층의 한 면에 배치되고 제2 금속을 포함하는 제2층, 그리고 상기 제1층의 다른 면에 배치되고 제3 금속을 포함하는 제3층을 포함하고, 상기 제2 금속 및 상기 제3 금속의 이온화 경향은 상기 제1 금속의 이온화 경향보다 높고, 상기 제2층 및 상기 제3층 각각의 두께는 상기 제1층의 두께보다 얇다.