SEMICONDUCTOR PACKAGE

• Main Authors: BERNARDONI, Mirko, WINTER, Frank, PALM, Lasse Petteri, CHANG, Mo Huai, MUNDING, Andreas
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The disclosure relates to a semiconductor package (100) comprising an electronic chip (140);an encapsulant (150) encapsulating at least part of the at least one electronic chip (140); a first metal layer (110) placed upon at least one of a first main surface (150a) or a second main surface (150b) of the encapsulant (150); and a second metal layer (120) placed upon at least one side wall (150c) of the encapsulant (150). The first metal layer (110) is electrically connecting a first connection terminal (141) of the electronic chip (140) by at least one electrical conductor (111) extending from the first connection terminal (141) to the first metal layer (110). The second metal layer (120) is contacting the first metal layer (110) to form an electrically and thermally conductive connection between the second metal layer (120) and the first metal layer (110). The second metal layer (120) extends along the at least one side wall (150c) of the encapsulant (150) to a third metal layer (130) of the semiconductor package (100) to form an electrically and thermally conductive connection of the first connection terminal (141) via the at least one side wall (150c) to the third metal layer (130) of the semiconductor package (100). L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur (100) comprenant une puce électronique (140) ; un encapsulant (150) encapsulant au moins une partie de l'au moins une puce électronique (140) ; une première couche métallique (110) placée sur au moins l'une d'une première surface principale (150a) ou d'une seconde surface principale (150b) de l'encapsulant (150) ; et une deuxième couche métallique (120) placée sur au moins une paroi latérale (150c) de l'encapsulant (150). La première couche métallique (110) est électriquement connectée à une première borne de connexion (141) de la puce électronique (140) par au moins un conducteur électrique (111) s'étendant de la première borne de connexion (141) à la première couche métallique (110). La deuxième couche métallique (120) est en contact avec la première couche métallique (110) pour former une connexion électriquement et thermiquement conductrice entre la deuxième couche métallique (120) et la première couche métallique (110). La deuxième couche métallique (120) s'étend le long de l'au moins une paroi latérale (150c) de l'encapsulant (150) vers une troisième couche métallique (130) du boîtier de semi-conducteur (100) pour former une connexion électriquement et thermiquement conductrice de la première borne de connexion (141) par l'intermédiaire de l'au moins une paroi latérale (150c) à la troisième couche métallique (130) du boîtier de semi-conducteur (100).