CURRENT SHARING MISMATCH AND SWITCHING OSCILLATION REDUCTION IN POWER SEMICONDUCTOR DEVICE MODULES

• Main Authors: THIRUKOLURI, Rajani Kumar, PAUL, Roveendra, JEON, Oseob, IM, Seungwon
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 18.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In a general aspect, a half-bridge power module (800) includes a substrate (505) having a plurality of patterned metal layers(517a, 530a, 540) disposed thereon. The module also includes respective pluralities of high-side and low-side transistors (510, 520) disposed on the metal layers. A plurality of conductive clips (532, 542) respectively electrically couple the high-side transistors and the low-side transistors with the metal layers. ADC+ terminal (815a), a DC- terminal (825) and an output terminal (835) of the half-bridge module are also respectively, electrically coupled with the plurality of patterned metal layers. Dans un aspect général, un module de puissance en demi-pont (800) comprend un substrat (505) ayant une pluralité de couches métalliques à motifs (517a, 530a, 540) disposées sur celui-ci. Le module comprend également des pluralités respectives de transistors côté haut et côté bas (510, 520) disposés sur les couches métalliques. Une pluralité de pinces conductrices (532, 542) couplent électriquement respectivement les transistors côté haut et les transistors côté bas aux couches métalliques. Une borne CAN + (815a), une borne CC (825) et une borne de sortie (835) du module en demi-pont sont également respectivement couplées électriquement à la pluralité de couches métalliques à motifs.