SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE

This semiconductor light emitting element comprises: a light emitting layer having a first region and a second region surrounding the first region; a passivation layer surrounding a side portion of the light emitting layer; an insulating layer below the first region; a first electrode below the ligh...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors HWANG, Sunghyun, HEO, Mihee, PARK, Hyungjo, KANG, Byungjun
Format Patent
LanguageEnglish
French
Korean
Published 18.04.2024
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:This semiconductor light emitting element comprises: a light emitting layer having a first region and a second region surrounding the first region; a passivation layer surrounding a side portion of the light emitting layer; an insulating layer below the first region; a first electrode below the light emitting layer; and a second electrode on the light emitting layer. The first electrode includes a reflective layer having a shape corresponding to the shape of the insulating layer below the insulating layer, and an ohmic contact layer below the second region. Cet élément électroluminescent à semi-conducteur comprend : une couche électroluminescente ayant une première région et une seconde région entourant la première région ; une couche de passivation entourant une partie latérale de la couche électroluminescente ; une couche isolante au-dessous de la première région ; une première électrode au-dessous de la couche électroluminescente ; et une seconde électrode sur la couche électroluminescente. La première électrode comprend une couche réfléchissante ayant une forme correspondant à la forme de la couche isolante au-dessous de la couche isolante, et une couche de contact ohmique au-dessous de la seconde région. 반도체 발광 소자는 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 갖는 발광층과, 발광층의 측부를 둘러싸는 패시베이션층과, 제1 영역 아래에 절연층과, 발광층 아래에 제1 전극과, 발광층 상에 제2 전극을 포함한다. 제1 전극은 절연층 아래에 절연층의 형상에 대응하는 형상을 갖는 반사층과, 제2 영역 아래에 오믹 컨택층을 포함한다.
Bibliography:Application Number: WO2022KR15585