PROVIDING A LOWER INDUCTANCE PATH IN A ROUTING SUBSTRATE FOR A CAPACITOR, AND RELATED ELECTRONIC DEVICES AND FABRICATION METHODS

• Main Authors: KIM, Chin-Kwan, LANE, Ryan, PAYNTER, Charles David, XIE, Biancun, PANDEY, Shree Krishna
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.03.2024
• Subjects: CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS

Electronic devices that include a routing substrate with lower inductance path for a capacitor, and related fabrication methods. In exemplary aspects, to provide lower interconnect inductance for a capacitor coupled to a power distribution network in the routing substrate, an additional metal layer that provides an additional, second power plane is disposed in a dielectric layer between adjacent metal layers in adjacent metallization layers. The additional, second power plane is adjacent to a first power plane disposed in a first metal layer of one of the adjacent metallization layers. The disposing of the additional metal layer in the dielectric layer of the metallization layer reduces the thickness of the dielectric material between the first and second power planes coupled to the capacitor as part of the power distribution network. This reduced dielectric thickness between first and second power planes coupled to the capacitor reduces the interconnect inductance for the capacitor. L'invention concerne des dispositifs électroniques qui comprennent un substrat de routage ayant un trajet d'inductance inférieur pour un condensateur, et des procédés de fabrication associés. Dans des aspects donnés à titre d'exemple, pour fournir une inductance d'interconnexion inférieure pour un condensateur couplé à un réseau de distribution de puissance dans le substrat de routage, une couche métallique supplémentaire qui fournit un second plan de puissance supplémentaire est disposée dans une couche diélectrique entre des couches métalliques adjacentes dans des couches de métallisation adjacentes. Le second plan de puissance supplémentaire est adjacent à un premier plan de puissance disposé dans une première couche métallique de l'une des couches de métallisation adjacentes. La disposition de la couche métallique supplémentaire dans la couche diélectrique de la couche de métallisation réduit l'épaisseur du matériau diélectrique entre les premier et second plans de puissance couplés au condensateur en tant que partie du réseau de distribution de puissance. Cette épaisseur diélectrique réduite entre des premier et second plans de puissance couplés au condensateur réduit l'inductance d'interconnexion pour le condensateur.