3D SYSTEM AND WAFER RECONSTITUTION WITH MID-LAYER INTERPOSER

• Main Authors: JANGAM, SivaChandra, DABRAL, Sanjay
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A system in package structure and method of fabrication using wafer reconstitution are described. In an embodiment a 3D system includes a mid-layer interposer a first package level underneath the mid-layer interposer and a second package level over the mid-layer interposer. Second package level components can be bonded to the mid-layer interposer with metal-metal bonds and optionally dielectric-dielectric bonds, while the first package level components can be bonded to the mid-layer interposer with dielectric-dielectric and optionally metal-metal bonds. Dies within the first and/or second package levels may optionally be connected with one or more optical interconnect paths. Système dans une structure de boîtier et procédé de fabrication à l'aide d'une reconstitution de tranche. Selon un mode de réalisation, un système 3D comprend un interposeur de couche intermédiaire un premier niveau de boîtier sous l'interposeur de couche intermédiaire et un second niveau de boîtier sur l'interposeur de couche intermédiaire. Des composants de second niveau de boîtier peuvent être liés à l'interposeur de couche intermédiaire à l'aide de liaisons métal-métal et éventuellement de liaisons diélectriques-diélectriques, tandis que les composants de premier niveau de boîtier peuvent être liés à l'interposeur de couche intermédiaire à l'aide de liaisons diélectriques-diélectriques et éventuellement métal-métal. Des puces à l'intérieur des premier et/ou second niveaux de boîtier peuvent éventuellement être connectées à un ou plusieurs trajets d'interconnexion optique.