METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PEELING AND DISSOLVING COMPOSITION

• Main Authors: SHINJO Tetsuya, YAGYU Masafumi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.03.2024
• Subjects: ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CANDLES; CHEMISTRY; DETERGENT COMPOSITIONS; DETERGENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FATTY ACIDS THEREFROM; METALLURGY; RECOVERY OF GLYCEROL; RESIN SOAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOAP OR SOAP-MAKING; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS

The present invention provides: a method for cleaning a semiconductor substrate, by which it is possible to remove (clean), in a shorter time and more cleanly by a simple operation, an adhesive layer that is obtained using, for example, a siloxane-based adhesive, from a surface of the semiconductor substrate; a method for producing a processed semiconductor substrate, the method comprising such a cleaning method; and a composition which is used in such a cleaning method.　The present invention provides a method for cleaning a semiconductor substrate, the method comprising a step for peeling and dissolving an adhesive layer on a semiconductor substrate with use of a peeling and dissolving composition; and this method for cleaning a semiconductor substrate is characterized in that the peeling and dissolving composition comprises a quaternary ammonium salt (component (I)), an amide-based solvent (component (II)), and a solvent that is represented by formula (G) (component (III)). (In the formula, L11 and L12 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; and the total number of the carbon atoms in the alkyl group represented by L11 and the carbon atoms in the alkyl group represented by L12 is 7 or less.) La présente invention concerne : un procédé de nettoyage d'un substrat semi-conducteur qui permet de retirer (nettoyer), plus rapidement et plus proprement par une opération simple, une couche adhésive obtenue, par exemple, à l'aide d'un adhésif à base de siloxane, d'une surface de substrat semi-conducteur ; un procédé de production d'un substrat semi-conducteur traité, le procédé comprenant un tel procédé de nettoyage ; et une composition à utiliser dans un tel procédé de nettoyage.　La présente invention concerne un procédé de nettoyage d'un substrat semi-conducteur, le procédé comprenant une étape de pelage et de dissolution d'une couche adhésive sur un substrat semi-conducteur à l'aide d'une composition de pelage et de dissolution ; et ce procédé de nettoyage d'un substrat semi-conducteur est caractérisé en ce que la composition de pelage et de dissolution comprend un sel d'ammonium quaternaire (composant (I)), un solvant à base d'amide (composant (II)), et un solvant qui est représenté par la formule (G) (composant (III)). (Dans la formule, L11 et L12 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle ayant 1 à 6 atomes de carbone ; et le nombre total des atomes de carbone dans le groupe alkyle représenté par L11 et des atomes de carbone dans le groupe alkyle représenté par L12 est de 7 ou moins.) 例えばシロキサン系接着剤を用いて得られる接着層をその表面に有する半導体基板上から、簡便な操作で、より短時間にかつよりきれいに除去（洗浄）することができる、半導体基板の洗浄方法、そのような洗浄方法を含む加工された半導体基板の製造方法、及びそのような洗浄方法に用いられる組成物を提供する。　半導体基板上の接着層を、剥離及び溶解用組成物を用いて剥離及び溶解する工程を含む、半導体基板の洗浄方法であって、前記剥離及び溶解用組成物が、　[Ｉ]成分：第四級アンモニウム塩、　[ＩＩ]成分：アミド系溶媒、及び　[ＩＩＩ]成分：下記式（Ｇ）で表される溶媒を含むことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。（式中、Ｌ1１及びＬ１２は、それぞれ独立して、炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｌ1１のアルキル基の炭素数とＬ１２のアルキル基の炭素数の合計は、７以下である。）