GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

• Main Authors: KIYAMA, Makoto, HOSHINA, Yutaka, SAITO, Yoshihiro, NAKAYAMA, Yojiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.03.2024
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

This gallium arsenide single crystal substrate has a circular main surface and has a first integrated intensity ratio or a second integrated intensity ratio. The first integrated intensity ratio and the second integrated intensity ratio can be determined from the spectra for arsenic and gallium based on a prescribed X-ray photoelectron spectroscopic method. The first integrated intensity ratio is the ratio of the sum of the integrated intensity for the elemental gallium present as digallium monoxide and the integrated intensity for the elemental gallium present as gallium trioxide, to the integrated intensity for the elemental gallium present as gallium arsenide, and is not greater than 12. The second integrated intensity ratio is the ratio of the sum of the integrated intensity for the elemental gallium present as digallium monoxide and the integrated intensity for the elemental gallium present as gallium trioxide, to the sum of the integrated intensity for the elemental arsenic present as arsenic pentoxide and the integrated intensity for the elemental arsenic present as arsenic trioxide, and is not greater than 1.2. The number of particles with a long diameter of 0.16 µm or more is not greater than 2 per 1 cm2 of the main surface. Le substrat monocristallin d'arséniure de gallium selon la présente invention a une surface principale circulaire et a un premier rapport d'intensité intégré ou un second rapport d'intensité intégré. Le premier rapport d'intensité intégré et le second rapport d'intensité intégré peuvent être déterminés à partir des spectres pour l'arsenic et le gallium sur la base d'un procédé spectroscopique photoélectronique à rayons X prescrit. Le premier rapport d'intensité intégré est le rapport de la somme de l'intensité intégrée pour le gallium élémentaire présent en tant que monoxyde de digallium et de l'intensité intégrée pour le gallium élémentaire présent en tant que trioxyde de gallium, sur l'intensité intégrée pour le gallium élémentaire présent en tant qu'arséniure de gallium, et n'est pas supérieur à 12. Le second rapport d'intensité intégré est le rapport de la somme de l'intensité intégrée pour le gallium élémentaire présent en tant que monoxyde de digallium et de l'intensité intégrée pour le gallium élémentaire présent en tant que trioxyde de gallium, sur la somme de l'intensité intégrée pour l'arsenic élémentaire présent en tant que pentoxyde d'arsenic et de l'intensité intégrée pour l'arsenic élémentaire présent en tant que trioxyde d'arsenic, et n'est pas supérieur à 1,2. Le nombre de particules ayant un diamètre de longueur de 0,16 µm ou plus n'est pas supérieur à 2 pour 1 cm2 de la surface principale. ヒ化ガリウム単結晶基板は、円形状の主表面を有し、かつ第１の積分強度比または第２の積分強度比を有する。第１の積分強度比および第２の積分強度比は、所定のＸ線光電子分光法に基づくヒ素およびガリウムのスペクトルより求めることができる。第１の積分強度比は、ヒ化ガリウムとして存在するガリウム元素の積分強度に対する、一酸化二ガリウムとして存在するガリウム元素の積分強度と三酸化二ガリウムとして存在するガリウム元素の積分強度との和の比率であり、１２以下である。第２の積分強度比は、五酸化二ヒ素として存在するヒ素元素の積分強度と、三酸化二ヒ素として存在するヒ素元素の積分強度との和に対する、一酸化二ガリウムとして存在するガリウム元素の積分強度と三酸化二ガリウムとして存在するガリウム元素の積分強度との和の比率であり、１．２以下である。長径が０．１６μｍ以上のパーティクルの個数は、主表面１ｃｍ2当たり２以下である。