SIMULATION METHOD, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HAMAGAMI, Hiroyuki, KATO, Yasuhiko, SEKI, Kohei
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This simulation method comprises: preparing a simulation model of a semiconductor device including a substrate, an element, a connecting part which electrically connects the substrate and the element, and a reinforcing material which is disposed on a peripheral part of the element; and calculating an amount of strain applied to the connection part in the simulation model. Ce procédé de simulation comprend : la préparation d'un modèle de simulation d'un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat, un élément, une partie de connexion qui connecte électriquement le substrat et l'élément, et un matériau de renforcement qui est disposé sur une partie périphérique de l'élément ; et le calcul d'une quantité de déformation appliquée à la partie de connexion dans le modèle de simulation. 基板と、素子と、前記基板と前記素子とを電気的に接続する接続部と、前記素子の周縁部に配置される補強材と、を備える半導体装置のシミュレーションモデルを準備することと、前記シミュレーションモデルの前記接続部にかかるひずみ量を算出することと、を含む、シミュレーション方法。