METHOD OF SEPARATING A SEMICONDUCTOR DEVICE FROM A SUBSTRATE

• Main Authors: ZHU, Tongtong, HUANG, Kai-Jyun, KASHYAP, Kunal, TU, Jia-Liang
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 14.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of separating a semiconductor device from a substrate comprises the steps of: providing a semiconductor structure comprising a semiconductor device, a substrate, and a porous layer of semiconductor material between the semiconductor structure and the substrate; creating a weakened zone in the semiconductor structure between the semiconductor device and the substrate; cleaving the semiconductor structure along the weakened zone; and separating the semiconductor device from the substrate. The weakened zone is created in the porous layer of semiconductor material, or in a buffer layer of semiconductor material positioned between the substrate and the porous layer. A semiconductor structure comprises a porous layer of semiconductor material and a semiconductor device bonded to a carrier wafer, in which the semiconductor device is positioned between the porous layer and the carrier wafer. Un procédé de séparation d'un dispositif semi-conducteur d'un substrat comprend les étapes consistant à : fournir une structure semi-conductrice comprenant un dispositif semi-conducteur, un substrat et une couche poreuse de matériau semi-conducteur entre la structure semi-conductrice et le substrat ; créer une zone affaiblie dans la structure semi-conductrice entre le dispositif semi-conducteur et le substrat ; cliver la structure semi-conductrice le long de la zone affaiblie ; et séparer le dispositif semi-conducteur du substrat. La zone affaiblie est créée dans la couche poreuse de matériau semi-conducteur, ou dans une couche tampon de matériau semi-conducteur positionnée entre le substrat et la couche poreuse. Une structure semi-conductrice comprend une couche poreuse de matériau semi-conducteur et un dispositif semi-conducteur lié à une tranche de support, le dispositif semi-conducteur étant positionné entre la couche poreuse et la tranche de support.