NITRIDE THERMAL ATOMIC LAYER ETCH

Provided are nitride atomic layer etch including in situ generating a phosphoric acid on the surface of silicon nitride layer by reacting a phosphorus containing reactant with one or more oxidants. Phosphoric acid selectively etches silicon nitride layer over silicon oxide and/or silicon. L'inv...

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Main Authors LILL, Thorsten Bernd, FISCHER, Andreas, ROUTZAHN, Aaron Lynn
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 07.03.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Provided are nitride atomic layer etch including in situ generating a phosphoric acid on the surface of silicon nitride layer by reacting a phosphorus containing reactant with one or more oxidants. Phosphoric acid selectively etches silicon nitride layer over silicon oxide and/or silicon. L'invention concerne une gravure de couche atomique de nitrure comprenant la génération in situ d'un acide phosphorique sur la surface de la couche de nitrure de silicium par réaction d'un réactif contenant du phosphore avec un ou plusieurs oxydants. De l'acide phosphorique grave de manière sélective une couche de nitrure de silicium sur de l'oxyde de silicium et/ou du silicium.
Bibliography:Application Number: WO2023US31035