LIGHT DETECTION DEVICE

• Main Authors: EBIKO Yoshiki, TANAKA Sawako
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

[Problem] To provide a light detection device that is inexpensive and has a large signal detection capacity. [Solution] The light detection device comprises a first semiconductor substrate including a first semiconductor layer and a second semiconductor layer that are stacked on one another. The first semiconductor layer includes a photoelectric conversion region and a floating diffusion region for storing charge obtained by photoelectric conversion in the photoelectric conversion region. The second semiconductor layer includes a capacitor for storing the charge obtained by photoelectric conversion in the photoelectric conversion region. Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif de détection de lumière qui est peu coûteux et a une grande capacité de détection de signal. La solution selon l'invention porte sur un dispositif de détection de lumière qui comprend un premier substrat semi-conducteur comprenant une première couche semi-conductrice et une seconde couche semi-conductrice qui sont empilées l'une sur l'autre. La première couche semi-conductrice comprend une région de conversion photoélectrique et une région de diffusion flottante pour stocker une charge obtenue par conversion photoélectrique dans la région de conversion photoélectrique. La seconde couche semi-conductrice comprend un condensateur pour stocker la charge obtenue par conversion photoélectrique dans la région de conversion photoélectrique. ［課題］安価で信号検出容量の大きな光検出装置を提供する。 ［解決手段］互いに積層される第１半導体層及び第２半導体層を有する第１半導体基板を備え、前記第１半導体層は、光電変換領域、及び前記光電変換領域で光電変換された電荷を蓄積する浮遊拡散領域を有し、前記第２半導体層は、前記光電変換領域で光電変換された電荷を蓄積するキャパシタを有する。