EARLY DETECTION OF PROGRAMMING FAILURE FOR NON-VOLATILE MEMORY

• Main Authors: PUTHENTHERMADAM, Sarath, SONG, Yi, YUAN, Jiahui
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 01.02.2024
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

An apparatus is provided that includes a block including a word line coupled to a plurality of memory cells, and a control circuit coupled to the word line. The control circuit is configured to program the plurality of memory cells by applying program pulses to the word line in a plurality of program loops, determining a first count of a number of the program loops used to complete programming a first subset of the plurality of memory cells to a first programmed state, first comparing the first count to a corresponding first lower limit and a corresponding first upper limit, and determining whether programming the plurality of memory cells has failed based on a result of the first comparing step. L'invention concerne un appareil qui comprend un bloc comprenant une ligne de mots couplée à une pluralité de cellules de mémoire, et un circuit de commande couplé à la ligne de mots. Le circuit de commande est configuré pour programmer la pluralité de cellules de mémoire en appliquant des impulsions de programme à la ligne de mots dans une pluralité de boucles de programme, déterminant un premier compte du nombre des boucles de programme utilisées afin d'achever la programmation d'un premier sous-ensemble de la pluralité de cellules de mémoire à un premier état programmé, comparant d'abord le premier compte à une première limite inférieure correspondante et à une première limite supérieure correspondante, et déterminant si la programmation de la pluralité de cellules de mémoire a échoué sur la base d'un résultat de la première étape de comparaison.