PLASMA PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING SOURCE FREQUENCY OF SOURCE HIGH-FREQUENCY ELECTRIC POWER

• Main Authors: KIKUCHI Yuto, YAZAKI Yuma, NAGAMI Koichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.02.2024
• Subjects: ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS

The disclosed plasma processing device comprises a chamber, a substrate-supporting portion, a high-frequency power source, and a bias power source. The substrate-supporting portion has a bias electrode and is provided within the chamber. The high-frequency power source is configured to produce source high-frequency electric power in order to generate plasma within the chamber. The bias power source is configured to periodically supply an electric bias having a waveform period to the bias electrode. The high-frequency power source is configured to set the source frequency of the source high-frequency electric power in each of a plurality of phase periods within the waveform period to a frequency obtained by adding a frequency shift amount for minimizing the extent of reflection of the source high-frequency electric power, and random noise, to the source frequency in the same phase period within the preceding waveform period. Le dispositif de traitement au plasma selon l'invention comprend une chambre, une partie de support de substrat, une source d'alimentation haute fréquence et une source d'alimentation de polarisation. La partie de support de substrat comprend une électrode de polarisation et est disposée à l'intérieur de la chambre. La source d'alimentation haute fréquence est configurée pour produire une puissance électrique à haute fréquence source afin de générer un plasma à l'intérieur de la chambre. La source d'alimentation de polarisation est configurée pour fournir périodiquement une polarisation électrique ayant une période de forme d'onde à l'électrode de polarisation. La source d'alimentation haute fréquence est configurée pour régler la fréquence source de la puissance électrique à haute fréquence source dans chaque période d'une pluralité de périodes de phase à l'intérieur de la période de forme d'onde à une fréquence obtenue par l'ajout d'une quantité de décalage de fréquence pour minimiser l'étendue de réflexion de la puissance électrique à haute fréquence source, et le bruit aléatoire, à la fréquence source dans la même période de phase à l'intérieur de la période de forme d'onde précédente. 開示されるプラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、高周波電源、及びバイアス電源を備える。基板支持部は、バイアス電極を有し、チャンバ内に設けられている。高周波電源は、チャンバ内でプラズマを生成するためにソース高周波電力を発生するように構成されている。バイアス電源は、波形周期を有する電気バイアスをバイアス電極に周期的に供給するように構成されている。高周波電源は、波形周期の中の複数の位相期間の各々におけるソース高周波電力のソース周波数を、先行する波形周期内の同一の位相期間におけるソース周波数に、ソース高周波電力の反射の度合いを抑制するための周波数シフト量とランダムノイズを加えた周波数に設定するように構成されている。