SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

• Main Authors: KUGA Takayoshi, HIGUCHI Akira
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

The present invention provides a semiconductor laser device comprising: a semiconductor laser element including a plurality of mesa portions; and a submount including a plurality of recesses where the plurality of mesa portions are arranged. An electrode corresponding to each of the plurality of mesa portions is electrically connected to a wiring section via a solder member. A first reference surface of the semiconductor laser element is in surface-contact with a second reference surface of the submount. A wall section including the second reference surface is provided between adjacent recesses. When viewed in the Y-axis direction, the distance in the X-axis direction between a side surface of the recess and an opposing side surface of the mesa portion decreases along the Z axis direction from the top surface to the base end of the mesa portion. La présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur comprenant : un élément laser à semi-conducteur comprenant une pluralité de parties mesa ; et une embase comprenant une pluralité d'évidements dans lesquels la pluralité de parties mesa sont agencées. Une électrode correspondant à chacune de la pluralité de parties mesa est électriquement connectée à une section de câblage par l'intermédiaire d'un élément de soudure. Une première surface de référence de l'élément laser à semi-conducteur est en contact de surface avec une seconde surface de référence de l'embase. Une section de paroi comprenant la seconde surface de référence est disposée entre des évidements adjacents. Vue dans la direction de l'axe Y, la distance dans la direction de l'axe X entre une surface latérale de l'évidement et une surface latérale opposée de la partie mesa diminue le long de la direction de l'axe Z de la surface supérieure à l'extrémité de base de la partie mesa. 半導体レーザ装置は、複数のメサ部を有する半導体レーザ素子と、複数のメサ部が配置される複数の凹部を有するサブマウントと、を備える。複数のメサ部の各々に対応する電極は、半田部材を介して、配線部と電気的に接続されている。半導体レーザ素子の第１基準面は、サブマウントの第２基準面と面接触している。互いに隣接する凹部間には、第２基準面を有する隔壁部が設けられている。Ｙ軸方向から見た場合に、凹部の側面と当該側面に対向するメサ部の側面とのＸ軸方向の距離は、Ｚ軸方向に沿ってメサ部の頂面から基端部に向かうにつれて短くなっている。