POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND MOTOR DRIVE SYSTEM USING SAME

Provided is a power semiconductor module that comprises a snubber capacitor and that can achieve both a higher current density and prevention of overheating in the snubber capacitor. The present invention is characterized by comprising: a positive electrode terminal; a negative electrode terminal di...

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Main Authors IKARASHI Daisuke, MASUDA Toru, MABUCHI Yuuichi, TAKAYANAGI Yuji
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 01.02.2024
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Summary:Provided is a power semiconductor module that comprises a snubber capacitor and that can achieve both a higher current density and prevention of overheating in the snubber capacitor. The present invention is characterized by comprising: a positive electrode terminal; a negative electrode terminal disposed such that, in plan view, at least a portion thereof overlaps the positive electrode terminal; first wiring that is branched from the positive electrode terminal; second wiring that is branched from the negative electrode terminal; and a snubber capacitor that is disposed outside a position at which the positive electrode terminal and the negative electrode terminal overlap each other in plan view, and that is connected via the first wiring and the second wiring. L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance qui comprend un condensateur d'amortissement et qui peut obtenir à la fois une densité de courant plus élevée et une prévention de surchauffe dans le condensateur d'amortissement. La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : une borne d'électrode positive ; une borne d'électrode négative disposée de telle sorte que, dans une vue en plan, au moins une partie de celle-ci chevauche la borne d'électrode positive ; un premier câblage qui est ramifié à partir de la borne d'électrode positive ; un second câblage qui est ramifié à partir de la borne d'électrode négative ; et un condensateur d'amortissement qui est disposé à l'extérieur d'une position à laquelle la borne d'électrode positive et la borne d'électrode négative se chevauchent dans une vue en plan, et qui est connecté par l'intermédiaire du premier câblage et du second câblage. スナバコンデンサを備えたパワー半導体モジュールにおいて、高電流密度化とスナバコンデンサの加熱防止を両立可能なパワー半導体モジュールを提供する。正極端子と、平面視した際に少なくとも一部が前記正極端子に重なって配置された負極端子と、前記正極端子から分岐された第1の配線と、前記負極端子から分岐された第2の配線と、平面視した際の前記正極端子と前記負極端子とが重なる位置の外側に配置され、前記第1の配線と前記第2の配線とを介して接続されたスナバコンデンサと、を有することを特徴とする。
Bibliography:Application Number: WO2023JP13093