DRY ETCHING METHOD FOR CARBON ATOM-CONTAINING FILM

• Main Authors: ISHIKAWA Kenji, HORI Masaru, AOKI Yuta, NGUYEN Thi Thuy Nga, TSUNO Shuji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This dry etching method for a carbon atom-containing film involves using an etching gas to etch a carbon atom-containing film which contains carbon atoms. This method includes: a mixed gas introduction step in which a mixed gas containing at least oxygen and sulfur dioxide is introduced to an etching chamber in which disposed is a structure comprising a carbon atom-containing film, and a mask having a first opening portion; and an etching step in which the mixed gas is turned into a plasma inside the etching chamber to produce a plasma gas, and using this plasma gas as an etching gas, the carbon atom-containing film of the structure is etched to form a second opening portion. In the etching step, the second opening portion is formed so that an aspect ratio of 1-40 is achieved. La présente invention concerne un procédé de gravure sèche pour un film contenant des atomes de carbone, consistant à utiliser un gaz de gravure pour graver un film contenant des atomes de carbone. Ce procédé comprend : une étape d'introduction d'un gaz mixte dans laquelle un gaz mixte contenant au moins de l'oxygène et du dioxyde de soufre est introduit dans une chambre de gravure dans laquelle est disposée une structure comprenant un film contenant des atomes de carbone, et un masque ayant une première partie d'ouverture ; et une étape de gravure dans laquelle le gaz mixte est transformé en plasma à l'intérieur de la chambre de gravure pour produire un gaz de plasma, et à l'aide de ce gaz de plasma utilisé en tant que gaz de gravure, le film contenant des atomes de carbone de la structure est gravé pour former une seconde partie d'ouverture. Dans l'étape de gravure, la seconde partie d'ouverture est formée de manière à obtenir un rapport d'aspect de 1 à 40. 炭素原子含有膜のドライエッチング方法は、炭素原子を含有する炭素原子含有膜をエッチングガスによりエッチングする方法である。この方法は、少なくとも酸素及び二酸化硫黄を含む混合ガスを、炭素原子含有膜、および、第１開口部を有するマスクを備える構造体が配置されたエッチングチャンバーに導入する混合ガス導入工程と、混合ガスをエッチングチャンバー内でプラズマ化してプラズマガスを発生させ、このプラズマガスをエッチングガスとして用いて、構造体の炭素原子含有膜をエッチングして第２開口部を形成するエッチング工程とを含む。エッチング工程においては、アスペクト比が１～４０となるように第２開口部が形成される。