NITROGEN PLASMA TREATMENT FOR BOTTOM-UP GROWTH

A method of forming a semiconductor device structure includes forming a nucleation layer within at least one feature. The method includes exposing the nucleation layer to a nitrogen plasma treatment. The nitrogen plasma treatment preferentially treats the top field and sidewalls while leaving the bo...

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Main Authors HSU, Chih-Hsun, ZHANG, Aixi, YUE, Shiyu, WANG, Rongjun, LEI, Yu, LEI, Wei, YANG, Tsung-Han, XU, Yi, GAO, Xingyao, GAO, Yongqian, CEN, Xi, WU, Kai, TANG, Xianmin, QI, Zhimin
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 11.01.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A method of forming a semiconductor device structure includes forming a nucleation layer within at least one feature. The method includes exposing the nucleation layer to a nitrogen plasma treatment. The nitrogen plasma treatment preferentially treats the top field and sidewalls while leaving the bottom surface substantially untreated to encourage bottom up metal growth. Un procédé de formation d'une structure de dispositif à semi-conducteur comprend la formation d'une couche de nucléation à l'intérieur d'au moins une caractéristique. Le procédé comprend l'exposition de la couche de nucléation à un traitement par plasma d'azote. Le traitement par plasma d'azote traite de préférence le champ supérieur et les parois latérales tout en laissant la surface inférieure sensiblement non traitée pour favoriser la croissance de métal ascendante.
Bibliography:Application Number: WO2023US25796