METHOD FOR FORMING CARBON-CONTAINING FILM

• Main Authors: KANEKO, Miyako, MITSUNARI, Tadashi, SUZUKI, Naoko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided is a method for forming a carbon-containing film having high etching resistance and low stress.　This method for forming a carbon-containing film comprises: a first step for forming a first carbon-containing film on a substrate; and a second step for modifying the surface layer of the first carbon-containing film. The first carbon-containing film formed by the first step has a first film stress, and the first carbon-containing film modified by the second step has a second film stress. The difference between the first film stress and the second film stress is ±100 MPa or less. L'invention concerne un procédé de formation d'un film contenant du carbone ayant une résistance à la gravure élevée et une faible contrainte.　Ce procédé de formation d'un film contenant du carbone comprend : une première étape consistant à former un premier film contenant du carbone sur un substrat ; et une seconde étape consistant à modifier la couche de surface du premier film contenant du carbone. Le premier film contenant du carbone formé par la première étape présente une première contrainte de film, et le premier film contenant du carbone modifié par la seconde étape présente une seconde contrainte de film. La différence entre la première contrainte de film et la seconde contrainte de film est inférieure ou égale à ±100 MPa. エッチング耐性が高く低ストレスな炭素含有膜の形成方法を提供する。　基板に第１の炭素含有膜を形成する第１の工程と、前記第１の炭素含有膜の表層を改質する第２の工程と、を含み、前記第１の工程で形成した前記第１の炭素含有膜は第１の膜応力を有し、前記第２の工程で改質した前記第１の炭素含有膜は第２の膜応力を有し、前記第１の膜応力と前記第２の膜応力との差は、±１００ＭＰａ以下である、炭素含有膜の形成方法。