METHOD FOR DETERMINING CORRECTIVE FILM PATTERN TO REDUCE SEMICONDUCTOR WAFER BOW

• Main Authors: STODDARD, Ryan, MCLAUGHLIN, Matt, HERLOCKER, Jonathan
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method is disclosed for generating a corrective film pattern for reducing wafer bow in a semiconductor wafer fabrication process. The method inputs to a neural network [150] a wafer bow signature [152] for a predetermined semiconductor fabrication step. The neural network [150] generates from the input a corrective film pattern [154] corresponding to the wafer bow signature. The neural network is trained with a training dataset of wafer shape transformations [104] and corresponding corrective film patterns [106]. La présente invention concerne un procédé permettant de générer un motif de film correcteur permettant de réduire un arc de tranche dans un procédé de fabrication de tranche de semi-conducteur. Le procédé introduit dans un réseau neuronal [150] une signature d'arc de tranche [152] pour une étape de fabrication de semi-conducteur prédéterminée. Le réseau neuronal [150] génère, à partir de l'entrée, un motif de film correctif [154] correspondant à la signature d'arc de tranche. Le réseau neuronal est formé avec un ensemble de données d'apprentissage de transformations de forme de tranche [104] et des motifs de film correctif correspondants [106].