OVERLAY MARK DESIGN FOR ELECTRON BEAM OVERLAY

• Main Authors: GHINOVKER, Mark, FELER, Yoel, HAJAJ, Eitan, YOHANAN, Raviv, NAOT, Ira, GUTMAN, Nadav, POHLMANN, Ulrich, EYRING, Stefan, STEELY, Chris, STEELY-TARSHISH, Inna
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.01.2023
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

The present disclosure provides a target and a method of performing overlay measurements on a target. The target includes an array of cells comprising a first cell, a second cell, a third cell, and a fourth cell. Each cell includes a periodic structure with a pitch. The periodic structure includes a first section and a second section, separated by a first gap. The target further includes an electron beam overlay target, such that electron beam overlay measurements, advanced imaging metrology, and/or scatterometry measurements can be performed on the target. La présente divulgation concerne une cible et un procédé de réalisation de mesures de superposition sur une cible. La cible comprend un réseau de cellules comprenant une première cellule, une seconde cellule, une troisième cellule et une quatrième cellule. Chaque cellule comprend une structure périodique avec un pas. La structure périodique comprend une première section et une seconde section, séparées par un premier espace. La cible comprend, en outre, une cible de superposition de faisceau d'électrons, de sorte que des mesures de superposition de faisceau d'électrons, une métrologie d'imagerie avancée et/ou des mesures de diffusiométrie peuvent être réalisées sur la cible.