OVERLAY MARK DESIGN FOR ELECTRON BEAM OVERLAY

• Main Authors: GHINOVKER, Mark, FELER, Yoel, HAJAJ, Eitan, YOHANAN, Raviv, NAOT, Ira, GUTMAN, Nadav, POHLMANN, Ulrich, EYRING, Stefan, STEELY, Chris, STEELY-TARSHISH, Inna
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.01.2023
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Electron beam overlay targets and method of performing overlay measurements on a target using a semiconductor metrology tool are provided. One target includes a plurality of electron beam overlay elements and a plurality of two-dimensional elements that provide at least one two-dimensional imaging. The plurality of two dimensional elements are an array of evenly-spaced polygonal gratings across at least three rows and at least three columns. Another target includes a plurality of electron beam overlay elements and a plurality of AIMid elements. Each of the electron beam overlay elements includes at least two gratings that are overlaid at a perpendicular orientation to each other. The plurality of AIMid elements includes at least two gratings that are overlaid at a perpendicular orientation to each other. L'invention fournit des cibles de recouvrement de faisceau d'électrons et un procédé de réalisation de mesures de recouvrement sur une cible à l'aide d'un outil de métrologie à semi-conducteur. Une cible comprend une pluralité d'éléments de recouvrement de faisceau d'électrons et une pluralité d'éléments bidimensionnels qui fournissent au moins une imagerie bidimensionnelle. La pluralité d'éléments bidimensionnels sont une formation de réseaux polygonaux espacés de manière régulière sur au moins trois rangées et au moins trois colonnes. Une autre cible comprend une pluralité d'éléments de recouvrement de faisceau d'électrons et une pluralité d'éléments AIMid. Chacun des éléments de recouvrement de faisceau d'électrons comprend au moins deux réseaux qui sont superposés à une orientation perpendiculaire l'un par rapport à l'autre. La pluralité d'éléments AIMid comprend au moins deux réseaux qui sont superposés à une orientation perpendiculaire l'un par rapport à l'autre.