MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KARIYADA, Eiji, KAGEYAMA, Yuito, ENDO, Masaki, TANABE, Hiroki, SATO, Yo, UCHIDA, Hiroyuki, TANIGAWA, Hironobu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This magnetic memory element (10) is provided with: a reference layer (11) which has a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer (12) which is arranged on the reference layer (11); a magnetic storage layer (13) which is arranged on the tunnel barrier layer (12), while having a variable magnetization direction; a high Hk application layer (14) which is arranged on the magnetic storage layer (13) so as to improve the magnetic anisotropy of the magnetic storage layer (13); and a cap layer (15) which is arranged on the high Hk application layer (14). With respect to this magnetic memory element, the material of the high Hk application layer (14) is different from the material of the cap layer (15); and the material of the high Hk application layer (14) is a high melting-point metal. Cet élément de mémoire magnétique (10) est pourvu : d'une couche de référence (11) qui présente une direction de magnétisation fixe ; d'une couche barrière de tunnel (12) qui est disposée sur la couche de référence (11) ; d'une couche de stockage magnétique (13) qui est disposée sur la couche barrière de tunnel (12), tout en présentant une direction de magnétisation variable ; d'une couche d'application à Hk élevé (14) qui est disposée sur la couche de stockage magnétique (13) de manière à améliorer l'anisotropie magnétique de la couche de stockage magnétique (13) ; et d'une couche chapeau (15) qui est disposée sur la couche d'application à Hk élevé (14). Par rapport à cet élément de mémoire magnétique, le matériau de la couche d'application à Hk élevé (14) est différent du matériau de la couche chapeau (15) ; et le matériau de la couche d'application à Hk élevé (14) est un métal à point de fusion élevé. 磁気メモリ素子（１０）は、磁化方向が固定された参照層（１１）と、参照層（１１）上に設けられたトンネル障壁層（１２）と、トンネル障壁層（１２）上に設けられ、磁化方向を変化させることが可能な磁気記憶層（１３）と、磁気記憶層（１３）上に設けられ、磁気記憶層（１３）の磁気異方性を向上させる高Ｈｋ付与層（１４）と、高Ｈｋ付与層（１４）上に設けられたＣａｐ層（１５）と、を備え、高Ｈｋ付与層（１４）の材料は、Ｃａｐ層（１５）の材料とは異なっており、高Ｈｋ付与層（１４）の材料は、高融点金属である。