OPTICAL MODULATOR

The present invention provides an optical modulator having high modulation efficiency without increasing power consumption. Provided is an optical modulator that is a Mach-Zehnder interferometer-type optical modulator (200) in which optical waveguide cores of first and second waveguides (102, 103) c...

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Main Authors HONDA Kentaro, HINAKURA Yosuke, KAWAMURA Yuriko, YAMANAKA Shogo, TAKAHASHI Masayuki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 28.12.2023
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Summary:The present invention provides an optical modulator having high modulation efficiency without increasing power consumption. Provided is an optical modulator that is a Mach-Zehnder interferometer-type optical modulator (200) in which optical waveguide cores of first and second waveguides (102, 103) comprise semiconductor layers having a p-n junction, and includes first and second high frequency electrodes (108, 109) for applying a modulated electrical signal and a bias voltage to the semiconductor layers, the optical modulator comprising: a first phase modulation region (110) which is formed in the first waveguide and has a first conductivity type semiconductor layer (105a) connected to the first high frequency electrode (108) and a second conductivity type semiconductor layer (106a) connected to the second high frequency electrode (109); and a second phase modulation region (111) which is formed in the second waveguide (103) and has a second conductivity type semiconductor layer (106b) connected to the first high frequency electrode and a first conductivity type semiconductor layer (105b) connected to the second high frequency electrode. La présente invention concerne un modulateur optique ayant une efficacité de modulation élevée sans augmenter la consommation d'énergie. L'invention concerne un modulateur optique qui est un modulateur optique de type interféromètre de Mach-Zehnder (200) dans lequel des cœurs de guide d'ondes optiques de premier et second guides d'ondes (102, 103) comprennent des couches semi-conductrices ayant une jonction p-n, et comprend des première et seconde électrodes haute fréquence (108, 109) pour appliquer un signal électrique modulé et une tension de polarisation aux couches semi-conductrices, le modulateur optique comprenant : une première région de modulation de phase (110) qui est formée dans le premier guide d'ondes et a une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (105a) connectée à la première électrode haute fréquence (108) et une couche semi-conductrice de second type de conductivité (106a) connectée à la seconde électrode haute fréquence (109) ; et une seconde région de modulation de phase (111) qui est formée dans le second guide d'ondes (103) et a une couche semi-conductrice de second type de conductivité (106b) connectée à la première électrode haute fréquence et une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (105b) connectée à la seconde électrode haute fréquence. 消費電力を増大させることなく、変調効率の高い光変調器を提供する。マッハツェンダ干渉計型の光変調器(200)であって、第1および第2の導波路(102、103)の光導波路コアは、pn接合を有する半導体層からなり、前記半導体層に変調電気信号およびバイアス電圧を印加するための第1および第2の高周波電極(108、109)を含む光変調器において、前記第1の高周波電極(108)に接続された第1の導電型半導体層(105a)と、前記第2の高周波電極(109)に接続された第2の導電型半導体層(106a)とを有する前記第1の導波路に形成された第1の位相変調領域(110)と、前記第1の高周波電極に接続された第2の導電型半導体層(106b)と、前記第2の高周波電極に接続された第1の導電型半導体層(105b)とを有する前記第2の導波路(103)に形成された第2の位相変調領域(111)とを備える。
Bibliography:Application Number: WO2022JP37012