OPTICAL MODULATOR

• Main Authors: HONDA Kentaro, HINAKURA Yosuke, KAWAMURA Yuriko, YAMANAKA Shogo, TAKAHASHI Masayuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.12.2023
• Subjects: DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

Provided is an optical modulator (300) that has high modulation efficiency and in which impedance reduction is minimized while the amplitude voltage value of a modulated electrical signal is maintained. Provided is a Mach-Zehnder interferometer-type optical modulator (300) in which optical waveguide cores of first and second waveguides (102, 103) comprise a semiconductor layer having a pn junction and include first and second high-frequency electrodes (108, 109) for applying a modulated electrical signal and a bias voltage to the semiconductor layer, wherein the optical modulator (300) is provided with: a first phase modulation region (110) that is formed in the first waveguide (102) and has a first conductivity-type semiconductor layer (105a) connected to the first high-frequency electrode (108), and a second conductivity-type semiconductor layer (106a) connected to the second high-frequency electrode (109); a first capacitor (200) that is inserted between the first phase modulation region (110) and the second high-frequency electrode (109); a second phase modulation region (111) that is formed in the second waveguide (103) and has a second conductivity-type semiconductor layer (106a) connected to the first high-frequency electrode (108), and a first conductivity-type semiconductor layer (105b) connected to the second high-frequency electrode (109); and a second capacitor (200) that is inserted between the second phase modulation region (111) and the first high-frequency electrode (108). L'invention concerne un modulateur optique (300) qui présente une efficacité de modulation élevée et dans lequel une réduction d'impédance est réduite au minimum tandis que la valeur de tension d'amplitude d'un signal électrique modulé est maintenue. L'invention concerne un modulateur optique de type interféromètre de Mach-Zehnder (300) dans lequel des cœurs de guide d'ondes optiques de premier et second guides d'ondes (102, 103) comprennent une couche semi-conductrice ayant une jonction pn et comprennent des première et seconde électrodes haute fréquence (108, 109) pour appliquer un signal électrique modulé et une tension de polarisation à la couche semi-conductrice, le modulateur optique (300) étant pourvu : d'une première région de modulation de phase (110) qui est formée dans le premier guide d'ondes (102) et a une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (105a) connectée à la première électrode haute fréquence (108), et une couche semi-conductrice de second type de conductivité (106a) connectée à la seconde électrode haute fréquence (109) ; d'un premier condensateur (200) qui est inséré entre la première région de modulation de phase (110) et la seconde électrode haute fréquence (109) ; d'une seconde région de modulation de phase (111) qui est formée dans le second guide d'ondes (103) et a une couche semi-conductrice de second type de conductivité (106a) connectée à la première électrode haute fréquence (108), et une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (105b) connectée à la seconde électrode haute fréquence (109) ; et d'un second condensateur (200) qui est inséré entre la seconde région de modulation de phase (111) et la première électrode haute fréquence (108). 変調電気信号の振幅電圧値を維持したままインピーダンス低減を最小限に抑え、変調効率の高い光変調器（３００）を提供する。マッハツェンダ干渉計型の光変調器（３００）であって、第１および第２の導波路（１０２、１０３）の光導波路コアは、ｐｎ接合を有する半導体層からなり、前記半導体層に変調電気信号およびバイアス電圧を印加するための第１および第２の高周波電極（１０８、１０９）を含む光変調器（３００）において、前記第１の高周波電極（１０８）に接続された第１の導電型半導体層（１０５ａ）と、前記第２の高周波電極（１０９）に接続された第２の導電型半導体層（１０６ａ）とを有する前記第１の導波路（１０２）に形成された第１の位相変調領域（１１０）と、前記第１の位相変調領域（１１０）と前記第２の高周波電極（１０９）との間に挿入された第１の容量（２００）と、前記第１の高周波電極（１０８）に接続された第２の導電型半導体層（１０６ｂ）と、前記第２の高周波電極（１０９）に接続された第１の導電型半導体層（１０５ｂ）とを有する前記第２の導波路（１０３）に形成された第２の位相変調領域（１１１）と、前記第２の位相変調領域（１１１）と前記第１の高周波電極（１０８）との間に挿入された第２の容量（２００）とを備えた。