SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR

• Main Authors: NIWA Akitsugu, YAMAGUCHI Harunaka, ISHIMURA Eitaro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.12.2023
• Subjects: DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

Provided is a semiconductor optical modulator (1) which is configured by stacking a plurality of semiconductor layers including a light modulation layer (for example, a multi-quantum well light modulation layer (5)) on a semiconductor substrate (InP substrate 2) and modulates the intensity or phase of the light that enters the light modulation layer and emits the light, wherein the light modulation layer is configured by using a digital alloy with alternately stacked semiconductor layers having a layer thickness of two or more atomic layers with different constituent elements or composition ratios. L'invention concerne un modulateur optique à semi-conducteur (1) qui est configuré par empilement d'une pluralité de couches semi-conductrices comprenant une couche de modulation de lumière (par exemple, une couche de modulation de lumière à puits quantiques multiples (5)) sur un substrat semi-conducteur (substrat d'InP 2) et module l'intensité ou la phase de la lumière qui entre dans la couche de modulation de lumière et émet la lumière, la couche de modulation de lumière étant configurée en utilisant un alliage numérique avec des couches semi-conductrices empilées en alternance ayant une épaisseur de couche d'au moins deux couches atomiques avec différents éléments constitutifs ou rapports de composition. 光変調層（例えば、多重量子井戸光変調層（５））を含む複数の半導体層を半導体基板上（ＩｎＰ基板２）に積層して構成し、光変調層に入射した光の強度または位相を変調させて出射する半導体光変調器（１）であって、構成元素または組成比が異なる２原子層以上の層厚を有する半導体層を交互に繰り返して積層したデジタルアロイを用いて光変調層を構成していることを特徴とする。