LUMINESCENT DIAMOND WITH NEGATIVELY CHARGED VACANCIES
Luminescent materials have red luminescent behavior after sintering using an HPHT process. Red luminescence is achieved with a temperature of 1475 °C to 1800 °C, and potentially 1600 °C to 1750 °C, with coarse sintered diamond powder having an average size greater than or equal to 100 nm, or more fi...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
30.11.2023
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Summary: | Luminescent materials have red luminescent behavior after sintering using an HPHT process. Red luminescence is achieved with a temperature of 1475 °C to 1800 °C, and potentially 1600 °C to 1750 °C, with coarse sintered diamond powder having an average size greater than or equal to 100 nm, or more fine grain average grain sizes of at least 25 nm or at least 50 nm. The luminescent material has red luminescence as a result of NV- centers created through the HPHT process which dominates over NV0 centers produced at lower temperatures, and over NVN centers produced at higher temperatures.
L'invention concerne des matériaux luminescents ayant un comportement luminescent rouge après frittage à l'aide d'un processus HPHT. Une luminescence rouge est obtenue avec une température de 1475 °C à 1800 °C et potentiellement de 1600 °C à 1750 °C, avec une poudre de diamant fritté grossièrement ayant une taille moyenne supérieure ou égale à 100 nm ou des tailles moyennes de grain plus fin d'au moins 25 nm ou d'au moins 50 nm. Le matériau luminescent présente une luminescence rouge résultant de centres NV- créés par le processus HPHT qui domine les centres NV0 produits à des températures plus basses et des centres NVN produits à des températures plus élevées. |
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Bibliography: | Application Number: WO2023US23697 |