LAMINATE STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING LAMINATE STRUCTURE

• Main Author: NISHIMURA Masumi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.11.2023
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES

This laminate structure (100) comprises a buffer layer (106), a first semiconductor layer (108), and a second semiconductor layer (110). The buffer layer and the first semiconductor layer overlap one another in a vertical direction. The second semiconductor layer is in contact with a side surface of the first semiconductor layer and surrounds at least part of the first semiconductor layer in a plan view perpendicular to the vertical direction. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer each contain a group III-V material or a group III nitride material. The crystallinity of the first semiconductor layer is higher than the crystallinity of the second semiconductor layer. The buffer layer is exposed from the second semiconductor layer in the vertical direction. L'invention porte sur une structure stratifiée (100) comprenant une couche tampon (106), une première couche semi-conductrice (108) et une seconde couche semi-conductrice (110). La couche tampon et la première couche semi-conductrice se chevauchent dans une direction verticale. La seconde couche semi-conductrice est en contact avec une surface latérale de la première couche semi-conductrice et entoure au moins une partie de la première couche semi-conductrice dans une vue en plan perpendiculaire à la direction verticale. La première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice contiennent chacune un matériau du groupe III-V ou un matériau de nitrure du groupe III. La cristallinité de la première couche semi-conductrice est supérieure à la cristallinité de la seconde couche semi-conductrice. La couche tampon est exposée à partir de la seconde couche semi-conductrice dans la direction verticale. 積層構造体（100）は、バッファ層（106）、第１の半導体層（108）、および第２の半導体層（110）を備える。バッファ層と第１の半導体層は、上下方向において互いに重なる。第２の半導体層は、第１の半導体層の側面に接し、上下方向に垂直な平面において第１の半導体層の少なくとも一部を囲む。第１の半導体層と第２の半導体層の各々はＩＩＩ－Ｖ族材料またはＩＩＩ族窒化物材料を含む。第１の半導体層の結晶性は第２の半導体層の結晶性よりも高い。バッファ層は、上下方向において第２の半導体層から露出する。