DC BLOCK STRUCTURE
This DC block structure is constituted by: a dielectric (1); transfer lines (2a, 2b) that are formed on a surface of the dielectric (1) and that have characteristic impedances of 50 ohms; transfer lines (3a, 3b) that are so formed on the surface of the dielectric (1) as to connect to the transfer li...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
30.11.2023
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Summary: | This DC block structure is constituted by: a dielectric (1); transfer lines (2a, 2b) that are formed on a surface of the dielectric (1) and that have characteristic impedances of 50 ohms; transfer lines (3a, 3b) that are so formed on the surface of the dielectric (1) as to connect to the transfer lines (2a, 2b) and that are so designed as to have characteristic impedances higher than those of the transfer lines (2a, 2b); and a capacitor (4) that is so mounted on the transfer lines (3a, 3b) as to series connect the transfer line (3a) to the transfer line (3b).
La présente invention concerne une structure de bloc CC qui est constituée par : un diélectrique (1) ; des lignes de transfert (2a, 2b) qui sont formées sur une surface du diélectrique (1) et qui ont des impédances caractéristiques de 50 ohms ; des lignes de transfert (3a, 3b) qui sont formées sur la surface du diélectrique (1) de manière à se connecter aux lignes de transfert (2a, 2b) et qui sont conçues de manière à avoir des impédances caractéristiques supérieures à celles des lignes de transfert (2a, 2b) ; et un condensateur (4) qui est monté sur les lignes de transfert (3a, 3b) de manière à connecter en série la ligne de transfert (3a) à la ligne de transfert (3b).
DCブロック構造は、誘電体(1)と、誘電体(1)の表面に形成された特性インピーダンス50Ωの伝送線路(2a,2b)と、伝送線路(2a,2b)と接続するように誘電体(1)の表面に形成され、特性インピーダンスが伝送線路(2a,2b)の特性インピーダンスよりも高くなるように設計された伝送線路(3a,3b)と、伝送線路(3a)と伝送線路(3b)とを直列に接続するように伝送線路(3a,3b)上に搭載されたキャパシタ(4)とから構成される。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2022JP21538 |