MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT

• Main Authors: SASAKI Tomoyuki, TANG Zhenyao
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This magnetoresistance effect element comprises a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a nonmagnetic layer, wherein the nonmagnetic layer is present between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, and the nonmagnetic layer undulates with respect to a flat plane that is perpendicular to the stacking direction. Cet élément à effet de magnétorésistance comprend une première couche ferromagnétique, une seconde couche ferromagnétique et une couche non magnétique, la couche non magnétique étant présente entre la première couche ferromagnétique et la seconde couche ferromagnétique, et la couche non magnétique ondulant par rapport à un plan plat qui est perpendiculaire à la direction d'empilement. この磁気抵抗効果素子は、第１強磁性層と第２強磁性層と非磁性層とを備え、前記非磁性層は、前記第１強磁性層と前記第２強磁性層との間に有り、前記非磁性層は、前記積層方向と直交する平坦面に対してうねっている。