SEMICONDUCTOR DEVICE, STORAGE APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT

• Main Authors: INOUE, Tatsunori, INOUE, Hiroki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

A semiconductor device having a high storage density is applied in the present invention. This semiconductor device has a first layer and a first insulating material. The first layer has a first oxide semiconductor, first to ninth conductors, and second to fifth insulating materials. The first layer is positioned on the first insulating material, and the first oxide semiconductor is positioned above the first insulating material. The first and sixth conductors are positioned on the top and lateral surfaces of the first oxide semiconductor and on the top surface of the first insulating material, respectively. Further, the second and fourth conductors are positioned on the top surface of the first oxide semiconductor. The second insulating material and the third conductor are positioned between the first conductor and the second conductor, the third insulating material and the fifth conductor are positioned between the second conductor and the fourth conductor, and the fourth insulating material and the seventh conductor are positioned between the fourth conductor and the sixth conductor. The fifth insulating material and the eighth conductor are positioned on the first conductor, in the stated order, in a region that does not overlap the first oxide. Further, the ninth conductor is positioned on the second conductor. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur présentant une densité de stockage élevée. Ce dispositif semi-conducteur présente une première couche et un premier matériau isolant. La première couche présente un premier semi-conducteur à oxyde, des conducteurs du premier au neuvième et des matériaux isolants du deuxième au cinquième. La première couche est située sur le premier matériau isolant, et le premier semi-conducteur à oxyde est placé au-dessus du premier matériau isolant. Les premier et sixième conducteurs sont respectivement situés sur les surfaces supérieure et latérale du premier semi-conducteur à oxyde et sur la surface supérieure du premier matériau isolant. En outre, les deuxième et quatrième conducteurs sont situés sur la surface supérieure du premier semi-conducteur à oxyde. Le deuxième matériau isolant et le troisième conducteur sont situés entre le premier conducteur et le deuxième conducteur, le troisième matériau isolant et le cinquième conducteur sont situés entre le deuxième conducteur et le quatrième conducteur, et le quatrième matériau isolant et le septième conducteur sont situés entre le quatrième conducteur et le sixième conducteur. Le cinquième matériau isolant et le huitième conducteur sont situés sur le premier conducteur, dans l'ordre indiqué, dans une région qui ne chevauche pas le premier oxyde. En outre, le neuvième conducteur est situés sur le second conducteur. 記憶密度が高い半導体装置を適用する。第１層と、第１絶縁体と、を有する半導体装置である。第１層は、第１酸化物半導体と、第１乃至第９導電体と、第２乃至第５絶縁体と、を有する。第１層は、第１絶縁体上に位置し、第１酸化物半導体は、第１絶縁体の上方に位置する。第１、第６導電体のそれぞれは、第１酸化物半導体の上面及び側面と、第１絶縁体の上面と、に位置する。また、第２、第４導電体のそれぞれは、第１酸化物半導体の上面に位置する。第２絶縁体及び第３導電体は、第１導電体と第２導電体との間に位置し、第３絶縁体及び第５導電体は、第２導電体と第４導電体との間に位置し、第４絶縁体及び第７導電体は、第４導電体と第６導電体との間に位置する。第５絶縁体及び第８導電体は、第１酸化物と重ならない領域の第１導電体上に順に位置する。また、第９導電体は、第２導電体上に位置する。