RADIATION TOLERANT DETECTOR ARCHITECTURE FOR CHARGED PARTICLE DETECTION

• Main Authors: VOLLMER, Bernd Michael, BEX, Jan, OBERST, Matthias, MOOK, Hindrik, NEUBAUER, Harald Gert Helmut, ULUDAG, Utku, SCHWEIGER, Thomas
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

A detector for a scanning electron microscope (SEM) system comprises a semiconductor substrate, and a switching network formed on the semiconductor substrate and comprising a radiation hardened NMOS transistor, the NMOS transistor comprising a first source/drain diffusion region, a second source/drain diffusion region, and a gate patterned on the semiconductor substrate and encircling one of the first and second source/drain diffusion regions. L'invention concerne un détecteur pour un système de microscope électronique à balayage (MEB), lequel détecteur comprend un substrat semi-conducteur, et un réseau de commutation formé sur le substrat semi-conducteur et comprenant un transistor NMOS durci par rayonnement, le transistor NMOS comprenant une première région de diffusion de source/drain, une seconde région de diffusion de source/drain, et une grille dessinée sur le substrat semi-conducteur et encerclant l'une ou l'autre des première et seconde régions de diffusion de source/drain.