OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

• Main Authors: PIELNHOFER, Sebastian, LANG, Kurt-Juergen
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 09.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptemissionsrichtung (E) vorgesehenen ist, einen elektrisch isolierenden Montagekörper (20) und eine erste und eine zweite Kontaktstruktur (31, 32) auf einer Vorderseite (20A) des Montagekörpers (20). Die Kontaktstrukturen (31, 32) umfassen jeweils ein Kontaktelement (310, 320) an einer Montageseite (20M) des Montagekörpers (20A) und einen Kontaktpfad (312, 322). Ein Verjüngungsbereich (311, 321) ist zwischen dem Kontaktelement (310, 320) und dem Kontaktpfad (312, 322) angeordnet. Die Hauptemissionsrichtung (E) des Halbleiterkörpers (10) ist quer zur Vorderseite (20A) und parallel zur Montageseite (20M) des Montagekörpers (20) ausgerichtet. Eine laterale Ausdehnung des Verjüngungsbereichs (311, 321) ist gegenüber einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements (310, 320) verringert. The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1). The optoelectronic semiconductor element (1) comprises a semiconductor body (10) which is provided to emit electromagnetic radiation in a main emission direction (E), an electrically insulating mounting body (20), and a first and a second contact structure (31, 32) on a front side (20A) of the mounting body (20). The contact structures (31, 32) each comprise a contact element (310, 320) on a mounting side (20M) of the mounting body (20A) and a contact path (312, 322). A tapering region (311, 321) is located between the contact element (310, 320) and the contact path (312, 322). The main emission direction (E) of the semiconductor body (10) is oriented transverse to the front side (20A) and parallel to the mounting side (20M) of the mounting body (20). A lateral expansion of the tapering region (311, 321) is reduced with respect to a lateral expansion of the contact element (310, 320). L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique. L'élément semi-conducteur optoélectronique (1) comprend un corps semi-conducteur (10) qui est conçu pour émettre un rayonnement électromagnétique dans une direction d'émission principale (E), un corps de montage électriquement isolant (20), et une première et une seconde structure de contact (31, 32) sur un côté avant (20A) du corps de montage (20). Les structures de contact (31, 32) comprennent chacune un élément de contact (310, 320) sur un côté de montage (20M) du corps de montage (20A) et un trajet de contact (312, 322). Une région effilée (311, 321) est située entre l'élément de contact (310, 320) et le trajet de contact (312, 322). La direction d'émission principale (E) du corps semi-conducteur (10) est orientée transversalement au côté avant (20A) et parallèle au côté de montage (20M) du corps de montage (20). Une dilatation latérale de la région effilée (311, 321) est réduite par rapport à une dilatation latérale de l'élément de contact (310, 320).