SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TSUTSUI Takayuki, TAKAHASHI Shinnosuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, a semiconductor device is provided with a substrate ground conductor which is formed of a semiconductor. A transistor is configured from a collector layer, a base layer and an emitter layer, which are stacked on a substrate. A clamp circuit is configured from a plurality of elements which are arranged on the substrate. The clamp circuit is connected between the collector layer and the ground conductor, or between the base layer and the ground conductor. The plurality of elements of the clamp circuit include a diode circuit that is composed of a plurality of diodes, and a resistive element that is connected in series with the diode circuit. The resistive element is configured from a part of an epitaxial layer that is formed on the substrate. Selon la présente invention, un dispositif à semi-conducteur est pourvu d'un conducteur de masse de substrat formé d'un semi-conducteur. Un transistor est configuré à partir d'une couche de collecteur, d'une couche de base et d'une couche d'émetteur empilées sur un substrat. Un circuit de serrage est configuré à partir d'une pluralité d'éléments agencés sur le substrat. Le circuit de serrage est raccordé entre la couche de collecteur et le conducteur de masse, ou entre la couche de base et le conducteur de masse. La pluralité d'éléments du circuit de serrage comprend un circuit de diodes composé d'une pluralité de diodes, et un élément résistif raccordé en série avec le circuit de diodes. L'élément résistif est configuré à partir d'une partie d'une couche épitaxiale formée sur le substrat. 半導体からなる基板グランド導体が設けられている。基板の上に積層されたコレクタ層、ベース層、及びエミッタ層によりトランジスタが構成されている。基板の上に配置された複数の素子でクランプ回路が構成される。クランプ回路は、コレクタ層とグランド導体との間、またはベース層とグランド導体との間に接続されている。クランプ回路の複数の素子は、複数のダイオードからなるダイオード回路と、ダイオード回路に直列に接続された抵抗素子とを含む。抵抗素子は、基板の上に形成されたエピタキシャル層の一部分で構成されている。