IMAGE SENSING DEVICE WITH EVENT BASED VISION SENSOR PIXELS AND IMAGING PIXELS

• Main Authors: MI, Hongyi, BRADY, Frederick T, MOSTAFALU, Pooria, HAN, Sungin
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Image sensing devices are disclosed. In one example, an image sensing device includes a pixel unit cell with both event sensing (EVS) pixels and imaging pixels. The EVS and imaging pixels are configured to include event sensing and imaging pixel transistors formed in the same transistor layer of an integrated circuit assembly that also includes the photodiodes of the EVS and imaging pixels. The photodiodes are separated by a rear deep trench isolation (RDTI), and the EVS and imaging pixel transistors are arranged along (e.g., underneath) boundary areas formed by the RDTI, maximizing the space available for the photodiodes and economizing on wiring requirements for the EVS and imaging pixels. Des dispositifs de détection d'image sont divulgués. Dans un exemple, un dispositif de détection d'image comprend une cellule d'unité de pixel comportant à la fois des pixels de détection d'événement (EVS) et des pixels d'imagerie. Les pixels EVS et d'imagerie sont configurés pour comprendre des transistors de pixel de détection d'événement et d'imagerie formés dans la même couche de transistor d'un ensemble circuit intégré qui comprend également les photodiodes des pixels EVS et d'imagerie. Les photodiodes sont séparées par une isolation de tranchée profonde arrière (RDTI), et les transistors de pixel EVS et d'imagerie sont agencés le long (par exemple, en dessous) de zones de limite formées par le RDTI, maximisant l'espace disponible pour les photodiodes et économisant sur des exigences de câblage des pixels EVS et d'imagerie.